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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-27 09:30 SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製 ○坂口優也・牛草遼平・周 澤宇・山上朋彦・阿部克也（信州大）  CPM2011-118 |
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| 抄録 | （和） | SiCコーティンググラファイト触媒を用いたHW-CVD法により、p-Si(001)及びガラス基板上へのSiC薄膜の低温形成を試みた。 原料ガスをSiH$_3$CH$_3$、希釈ガスをH$_2$とし、SiCコーティンググラファイト触媒温度、基板設定温度、水素希釈比、成長圧力の各依存性について調査した。 その結果、250℃という低基板温度においてアモルファスSiC膜を得ることに成功した。 また、成長圧力依存性の調査結果から成長圧力が高くなるに従って薄膜の組成がSiリッチとなることがわかり、ストイキオメトリーなSiC薄膜を形成するには低圧成長が望ましいとわかった。 |
| （英） | Silicon carbide films were prepared on p-Si(001) and glass substrates by hot-wire chemical vapor deposition using graphite filaments coated with SiC and a gas mixture of SiH$_3$CH$_3$ and H$_2$ at low substrate temperature. The dependences on filament temperature, substrate temperature, hydrogen dilution ratio and growth pressure were investigated. The amorphous SiC films were successfully obtained at a low substrate temperature of 250℃. It was found from the growth pressure dependence that the higher growth pressure resulted in Si rich films. The results indicated the requirement of the low growth pressure for depositing stoichiometric SiC films. |
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| キーワード | （和） | シリコンカーバイド / HW-CVD法 / グラファイト触媒 / 低温形成 / / / / |
| （英） | SiC / HW-CVD / graphite filament / low temperature growth / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 264, CPM2011-118, pp. 47-50, 2011年10月. | |
| 資料番号 | CPM2011-118 | |
| 発行日 | 2011-10-19 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2011-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2011-10-26 - 2011-10-27 |
| 開催地（和） | 福井大学 産学官連携本部研修室 |
| 開催地（英） | Fukui Univ. |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of SiC films by HW-CVD using graphite filaments coated with SiC |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンカーバイド / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | HW-CVD法 / HW-CVD |
| キーワード(3)（和/英） | グラファイト触媒 / graphite filament |
| キーワード(4)（和/英） | 低温形成 / low temperature growth |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂口 優也 / Yuya Sakaguchi / サカグチ ユウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牛草 遼平 / Ryohei Ushikusa / ウシクサ リョウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 周 澤宇 / Takuu Syu / シュウ タクウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山上 朋彦 / Tomohiko Yamakami / ヤマカミ トモヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 阿部 克也 / Katsuya Abe / アベ カツヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-27 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2011-118 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.264 |
| ページ範囲 | pp.47-50 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-10-19 (CPM) |
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