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講演抄録/キーワード
講演名 2011-11-10 13:50
[招待講演]デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解
東 悠介百々信幸百瀬寿代大黒達也松澤一也東芝SDM2011-118 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-118
抄録 (和) Random Telegraph Noise (RTN)の本質理解に向け、過渡解析および周波数領域解析が可能なRTNデバイスシミュレータの開発を行った。個々のトラップサイトの捕獲・放出機構を絶縁膜中にトラップサイトを配置し、絶縁膜中のエネルギー遷移を考慮することで3Dデバイスシミュレーションに組み込むことに成功した。これによりデバイス構造やバイアス変化の影響を汎用的に考慮しシミュレーションすることが可能となった。本論文ではこのシミュレーションと実測との比較により絶縁膜中のトラップサイト分布を示し、さらにRTNの削減を目的としたNegative pre-pulseシミュレーションに関して述べる。 
(英) Physical modeling of transient and frequency domain noise simulation for random telegraph noise (RTN) is conducted, considering discretized traps and energy transition in insulator. The models are implemented in a 3D device simulator to consider the device structure effect and bias effect universally. Trap density and trap distribution in insulator are predicted quantitatively with comparison of measured data and simulated data. In addition, we present negative pre-pulse effect for RTN reduction.
キーワード (和) RTN / Flicker / TCAD / Simulation / / / /  
(英) RTN / Flicker / TCAD / Simulation / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 281, SDM2011-118, pp. 17-20, 2011年11月.
資料番号 SDM2011-118 
発行日 2011-11-03 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2011-118 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-118

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-11-10 - 2011-11-11 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulations, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Comprehensive Understanding of Random Telegraph Noise with Physics Based Simulation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) RTN / RTN  
キーワード(2)(和/英) Flicker / Flicker  
キーワード(3)(和/英) TCAD / TCAD  
キーワード(4)(和/英) Simulation / Simulation  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 東 悠介 / Yusuke Higashi / ヒガシ ユウスケ
第1著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 百々 信幸 / Nobuyuki Momo / モモ ノブユキ
第2著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 百瀬 寿代 / Hisayo S. Momose / モモセ ヒサヨ
第3著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大黒 達也 / Tatsuya Ohguro / オオグロ タツヤ
第4著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 松澤 一也 / Kazuya Matsuzawa / マツザワ カズヤ
第5著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-11-10 13:50:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2011-118 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.281 
ページ範囲 pp.17-20 
ページ数
発行日 2011-11-03 (SDM) 


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