講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-11-10 13:50
[招待講演]デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解 ○東 悠介・百々信幸・百瀬寿代・大黒達也・松澤一也(東芝) SDM2011-118 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-118 |
抄録 |
(和) |
Random Telegraph Noise (RTN)の本質理解に向け、過渡解析および周波数領域解析が可能なRTNデバイスシミュレータの開発を行った。個々のトラップサイトの捕獲・放出機構を絶縁膜中にトラップサイトを配置し、絶縁膜中のエネルギー遷移を考慮することで3Dデバイスシミュレーションに組み込むことに成功した。これによりデバイス構造やバイアス変化の影響を汎用的に考慮しシミュレーションすることが可能となった。本論文ではこのシミュレーションと実測との比較により絶縁膜中のトラップサイト分布を示し、さらにRTNの削減を目的としたNegative pre-pulseシミュレーションに関して述べる。 |
(英) |
Physical modeling of transient and frequency domain noise simulation for random telegraph noise (RTN) is conducted, considering discretized traps and energy transition in insulator. The models are implemented in a 3D device simulator to consider the device structure effect and bias effect universally. Trap density and trap distribution in insulator are predicted quantitatively with comparison of measured data and simulated data. In addition, we present negative pre-pulse effect for RTN reduction. |
キーワード |
(和) |
RTN / Flicker / TCAD / Simulation / / / / |
(英) |
RTN / Flicker / TCAD / Simulation / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 281, SDM2011-118, pp. 17-20, 2011年11月. |
資料番号 |
SDM2011-118 |
発行日 |
2011-11-03 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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