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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-10 13:50 ［招待講演］デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解 ○東 悠介・百々信幸・百瀬寿代・大黒達也・松澤一也（東芝）  SDM2011-118 |
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| 抄録 | （和） | Random Telegraph Noise (RTN)の本質理解に向け、過渡解析および周波数領域解析が可能なRTNデバイスシミュレータの開発を行った。個々のトラップサイトの捕獲・放出機構を絶縁膜中にトラップサイトを配置し、絶縁膜中のエネルギー遷移を考慮することで３Dデバイスシミュレーションに組み込むことに成功した。これによりデバイス構造やバイアス変化の影響を汎用的に考慮しシミュレーションすることが可能となった。本論文ではこのシミュレーションと実測との比較により絶縁膜中のトラップサイト分布を示し、さらにRTNの削減を目的としたNegative pre-pulseシミュレーションに関して述べる。 |
| （英） | Physical modeling of transient and frequency domain noise simulation for random telegraph noise (RTN) is conducted, considering discretized traps and energy transition in insulator. The models are implemented in a 3D device simulator to consider the device structure effect and bias effect universally. Trap density and trap distribution in insulator are predicted quantitatively with comparison of measured data and simulated data. In addition, we present negative pre-pulse effect for RTN reduction. | |
| キーワード | （和） | RTN / Flicker / TCAD / Simulation / / / / |
| （英） | RTN / Flicker / TCAD / Simulation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 281, SDM2011-118, pp. 17-20, 2011年11月. | |
| 資料番号 | SDM2011-118 | |
| 発行日 | 2011-11-03 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-11-10 - 2011-11-11 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulations, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Comprehensive Understanding of Random Telegraph Noise with Physics Based Simulation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | RTN / RTN |
| キーワード(2)（和/英） | Flicker / Flicker |
| キーワード(3)（和/英） | TCAD / TCAD |
| キーワード(4)（和/英） | Simulation / Simulation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 悠介 / Yusuke Higashi / ヒガシ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 百々 信幸 / Nobuyuki Momo / モモ ノブユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 百瀬 寿代 / Hisayo S. Momose / モモセ ヒサヨ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大黒 達也 / Tatsuya Ohguro / オオグロ タツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松澤 一也 / Kazuya Matsuzawa / マツザワ カズヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-10 13:50:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-118 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.281 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-11-03 (SDM) |
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