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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-17 10:55 エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価 ○野村拓也・三宅秀人・平松和政（三重大）・龍 祐樹・桑原崇彰・桑野範之（九大）  ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98 |
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| 抄録 | （和） | 高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの実現のためには、AlNを基板として用いることが有望である. 本研究ではエッチピット法を用いてAlNエピタキシャル膜中の貫通転位密度の評価を行った. KOHとNaOHの混合溶液によりウェットエッチングを行った結果、エッチピットの大きさにより大・中・小の３種類に分類できることが分かった. サファイア基板上に成長を行ったAlNに比べ、昇華法により作製されたAlN基板の貫通転位密度は非常に少なく、HVPE法による厚膜成長後も貫通転位密度の大幅な増加は見られなかった. 三角ストライプ加工を行ったAlN/サファイア基板上へHVPE法により厚膜成長を行い、ファセット制御により貫通転位の伝搬を抑制することができた. |
| （英） | AlN is an attractive substrate for short-wavelength optoelectronics devices based on AlGaN. We have investigated threading dislocations (TDs) in epitaxial AlN films by etch-pit method. Epitaxial AlN films were etched by mixed acid solution (KOH+NaOH). The etch-pits were classified into 3 kinds of TD groups by those size. The TD density in AlN substrate grown by sublimation method was less than that of an epitaxial AlN on a sapphire、 and did not increase after HVPE growth of the thick AlN on the sublimation-AlN substrate. Moreover, thick AlN films were grown on AlN/sapphire stripe seeds with triangular shape in cross section of the stripe pattern, and the TDs density on the surface of HVPE-grown films was reduced by the effect of facet control techniques. | |
| キーワード | （和） | AlN / HVPE / エッチピット法 / 貫通転位 / / / / |
| （英） | AlN / HVPE / etch-pit method / threading dislocations / facer control / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 290, ED2011-75, pp. 11-14, 2011年11月. | |
| 資料番号 | ED2011-75 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-75 CPM2011-124 LQE2011-98 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Etch-pit method of threading dislocations in epitaxial AlN films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | HVPE / HVPE |
| キーワード(3)（和/英） | エッチピット法 / etch-pit method |
| キーワード(4)（和/英） | 貫通転位 / threading dislocations |
| キーワード(5)（和/英） | / facer control |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野村 拓也 / Takuya Nomura / ノムラ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 龍 祐樹 / Yuuki Ryu / リュウ ユウキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyusyu University (略称： Kyusyu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑原 崇彰 / Takaaki Kuwahara / クワハラ タカアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyusyu University (略称： Kyusyu Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑野 範之 / Noriyuki Kuwano / クワノ ノリユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyusyu University (略称： Kyusyu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-17 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-75, CPM2011-124, LQE2011-98 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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