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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-17 16:05 GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル ○井手利英・清水三聡・沈 旭強（産総研）・森田竜夫・上田哲三・田中 毅（パナソニック）  ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107 |
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| 抄録 | （和） | GaN-Gate Injection Transistor(GIT) 双方向スイッチは従来のスイッチング素子と比較して低オン抵抗化が可能かつ，電圧変換器等の回路応用時に素子数低減，回路損失低減が期待できる．本研究では，この素子を用いた回路を設計する際に必要となる等価回路モデルを提案した．この素子は4端子素子だが，等価回路モデルでは＋電流側のゲートをONしてもう一方のゲートをスイッチングさせることを想定し，1つのゲートと2つのソース端子による3端子モデルとした．モデル内の寄生素子は1つの電流源，3つの容量で構成し，それらのパラメータをスイッチング特性から抽出することでモデルを高精度化した．このモデルからチョッパー回路におけるスイッチング波形および損失を解析し，実験値と比較した損失の計算精度は90％以上であった． |
| （英） | GaN-Gate Injection Transistor(GIT) Bi-directional Switches (BDSWs) is capable of the low on-resistance operation as compared with typical switching devices, and by employing GaN GIT-BDSWs in the switching circuit, the reduction of a number of the devices and a switching loss are expected. In this study, we propose the equivalent-circuit-model for GaN GIT-BDSWs in order to design switching circuits employing these devices. Although the GIT-BDSWs have four terminals, the equivalent-circuit-model for those consists of three terminals, one gate and two sources, because one gate keeps opened during switching the other gate in the typical operation. The circuit elements in the equivalent-circuit-model consist of one current source and three capacitances. The parameters of the circuit elements are extracted with high accuracy due to the extraction form the switching characteristics. When the switching waveforms and losses in the chopper circuit are calculated by this model, the accuracy of the calculation for the experiments exceeds 90%. | |
| キーワード | （和） | GaN / ゲート注入型トランジスタ (GIT) / 双方向スイッチ / 等価回路モデル / / / / |
| （英） | GaN / Gate Insulated Transistor (GIT) / Bi-directional Switch / Equivalent-circuit-model / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-107, pp. 55-60, 2011年11月. | |
| 資料番号 | LQE2011-107 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-accuracy equivalent-circuit-model for GaN-GIT bi-directional switch |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート注入型トランジスタ (GIT) / Gate Insulated Transistor (GIT) |
| キーワード(3)（和/英） | 双方向スイッチ / Bi-directional Switch |
| キーワード(4)（和/英） | 等価回路モデル / Equivalent-circuit-model |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井手 利英 / Toshihide Ide / イデ トシヒデ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 三聡 / Mitsuaki Shimizu / シミズ ミツアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沈 旭強 / Xu-Qiang Shen / シン キョクキョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 竜夫 / Tatsuo Morita / モリタ タツオ |
| 第4著者 所属（和/英） | パナソニック (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ |
| 第5著者 所属（和/英） | パナソニック (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / タナカ ツヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | パナソニック (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-17 16:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2011-84, CPM2011-133, LQE2011-107 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.55-60 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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