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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-17 10:30 サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御 ○宮川鈴衣奈・楊 士波・三宅秀人・平松和政（三重大）・桑原崇彰・桑野範之・光原昌寿（九大）  ED2011-74 CPM2011-123 LQE2011-97 |
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| 抄録 | （和） | 高性能深紫外受発光デバイスへの応用に，AlN膜の高品質化が求められている．本研究では，核形成層である中温(medium-temperature: MT-)AlN膜の成長条件を検討することにより，AlN膜とサファイア基板との界面層を制御することに着目した．1250 ℃で成長したMT-AlN膜上に高温(high-temperature: HT-)AlN膜を成長した場合，tilt，twist揺らぎはともに改善したものの，極性の混在したAlN膜となったため，表面凹凸の大きな膜となった．それに対して，MT-AlN膜の成長温度を1100 ℃とした場合，表面平坦性が良好でtilt揺らぎの小さな膜になったものの，twist揺らぎは大きな膜となった．さらなる高品質化を目指し，HT-AlN膜の成長条件検討として，キャリアガス及び成長温度の与える影響を調べた．結果，キャリアガス中のN2の割合が増すほど圧縮応力が緩和された．これは，N2の多い雰囲気下ではtype-a転位密度が高くなったため，転位により応力が緩和されたものと考えられる． |
| （英） | The strong demands for high-efficiency light-emitting diodes and for high-sensitivity sensors in the deep-ultraviolet (UV) region has led to renewed interest in the growth of high-quality AlN. We have studied growth of high-quality AlN with a nucleation layer method. The growth conditions of a medium-temperature (MT-) AlN nucleation layer were examined the interface of the AlN and sapphire substrate. AlN layer with a highly crystalline quality of small tilting and twisting was obtained when the growth temperature of MT-AlN was 1250 oC; however, the surface of AlN was rough because of the mixture of crystallographic polarity. On the other hand, for an AlN layer on the MT-AlN grown at 1100 oC, both the tilt and surface morphology improved, although a future challenge is to reduce twist, but the was not much reduced. For further high-crystalline AlN growth, effects of the carrier gas ratio and growth temperature are examined with the aim of optimizing the growth conditions of high-temperature (HT-) AlN. As a result, with increasing ratio of N2 in the carrier gas, the radius of curvature of the AlN layer increased and the compressive strain decreased. The reduction of compressive strain and increase in curvature of the AlN layer were due to an increase in the number of dislocations. | |
| キーワード | （和） | AlN / MOVPE / サファイア / 界面層 / / / / |
| （英） | AlN / MOVPE / sapphire / interlayer / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 290, ED2011-74, pp. 5-10, 2011年11月. | |
| 資料番号 | ED2011-74 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-74 CPM2011-123 LQE2011-97 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of interlayer on MOVPE growth of AlN on sapphire substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | サファイア / sapphire |
| キーワード(4)（和/英） | 界面層 / interlayer |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮川 鈴衣奈 / Reina Miyagawa / ミヤガワ レイナ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 楊 士波 / Shibo Yang / ヨウ シハ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑原 崇彰 / Takaaki Kuwahara / クワハラ タカアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑野 範之 / Noriyuki Kuwano / クワノ ノリユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 光原 昌寿 / Masatoshi Mitsuhara / |
| 第7著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu Universuty (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-17 10:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-74, CPM2011-123, LQE2011-97 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.5-10 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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