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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-17 17:10 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ ○成田知隆・分島彰男・江川孝志（名工大）  ED2011-86 CPM2011-135 LQE2011-109 |
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| 抄録 | （和） | シリコン基板上に透明ゲートAlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)を作製した。デバイス表面から紫外光及び短波可視光を照射し、DC特性及び紫外線フォトディテクタとしての特性を評価した。紫外光を照射したところ、顕著なドレイン電流の増加と閾値電圧の負方向へのシフトが発生した。これから透明ゲート下で励起が生じたことが確認された。ゲート電極をピンチオフ状態で動作させることにより暗電流を低減できた。照射光強度200 μW/cm2及び波長360nm以下おいて3×105A/Wという高い受光感度を得られた。 |
| （英） | Transparent gate AlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor) on a Si substrate was fabricated. We estimated as characteristics of DC and UV detectors by UV and visible light irradiation from the surface side. A significant drain current increase and a negative threshold-voltage shift occurred by UV light irradiation. Thus photogenerated carriers under transparent gate electrode were observed. The gate electrode enabled the device to operate under pinch-off conditions, resulted in low dark current. A high responsivity of 3×105A/W at 200μW/cm2 under a wavelength of 360nm was obtained. | |
| キーワード | （和） | GaN / AlGaN / HEMT / 紫外線フォトディテクタ / / / / |
| （英） | GaN / AlGaN / HEMT / UV photodetectors / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 290, ED2011-86, pp. 67-70, 2011年11月. | |
| 資料番号 | ED2011-86 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-86 CPM2011-135 LQE2011-109 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultraviolet Photodetectors using Transparent Gate AlGaN/GaN-HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | 紫外線フォトディテクタ / UV photodetectors |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成田 知隆 / Tomotaka Narita / ナリタ トモタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 分島 彰男 / Akio Wakejima / ワケジマ アキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-17 17:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-86, CPM2011-135, LQE2011-109 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.67-70 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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