講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-11-18 10:20
顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定 ○山口敦史(金沢工大)・耿 慧遠・砂川晴夫・石原裕次郎・松枝敏晴・碓井 彰(古河機械金属) ED2011-90 CPM2011-139 LQE2011-113 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-90 CPM2011-139 LQE2011-113 |
抄録 |
(和) |
GaN基板に残留する微小歪み(0.01%程度)をミクロンオーダーの空間分解能で測定する新しい手法を開発した。これは、価電子帯の各バンドに対応する励起子のエネルギー位置が歪みに対して非常に敏感であることを利用し、顕微鏡下での極低温反射スペクトル測定から得られる励起子エネルギーより歪み量の各成分を求めるものである。この手法により、異なる方法で作製されたGaN基板の断面の残留歪みの深さ方向分布を測定し、基板の作製方法により残留歪みの状況が変わることを見出した。さらに、反射スペクトルにおける励起子信号の線幅がキャリア密度によって変化することを用いて、歪み量とキャリア濃度を同時に2次元マッピング測定する可能性についても議論する。 |
(英) |
We have developed a novel method to precisely measure very small residual strains (~0.01%) in GaN substrates with micron-order spatial resolution. Strain components are estimated from exciton energies in low-temperature reflectance spectra measured under an optical microscope. The high strain sensitivity comes from high sensitivity of valence-band energy positions, which are directly connected with the exciton energies, to strain components. The method was applied for GaN substrates fabricated by different techniques, and it is found that strain depth profiles largely depend on fabrication techniques. Furthermore, we will discuss the possibility of simultaneous 2D-mapping measurements of strain components and carrier concentrations which could be estimated from the broadening factors of exciton signals in reflectance spectra. |
キーワード |
(和) |
GaN基板 / 残留歪み / 価電子帯 / 反射スペクトル / / / / |
(英) |
GaN substrate / residual strain / valence band / reflectance spectroscopy / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-113, pp. 87-91, 2011年11月. |
資料番号 |
LQE2011-113 |
発行日 |
2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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