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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-18 10:20 顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定 ○山口敦史（金沢工大）・耿 慧遠・砂川晴夫・石原裕次郎・松枝敏晴・碓井 彰（古河機械金属）  ED2011-90 CPM2011-139 LQE2011-113 |
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| 抄録 | （和） | GaN基板に残留する微小歪み(0.01%程度)をミクロンオーダーの空間分解能で測定する新しい手法を開発した。これは、価電子帯の各バンドに対応する励起子のエネルギー位置が歪みに対して非常に敏感であることを利用し、顕微鏡下での極低温反射スペクトル測定から得られる励起子エネルギーより歪み量の各成分を求めるものである。この手法により、異なる方法で作製されたGaN基板の断面の残留歪みの深さ方向分布を測定し、基板の作製方法により残留歪みの状況が変わることを見出した。さらに、反射スペクトルにおける励起子信号の線幅がキャリア密度によって変化することを用いて、歪み量とキャリア濃度を同時に２次元マッピング測定する可能性についても議論する。 |
| （英） | We have developed a novel method to precisely measure very small residual strains (~0.01%) in GaN substrates with micron-order spatial resolution. Strain components are estimated from exciton energies in low-temperature reflectance spectra measured under an optical microscope. The high strain sensitivity comes from high sensitivity of valence-band energy positions, which are directly connected with the exciton energies, to strain components. The method was applied for GaN substrates fabricated by different techniques, and it is found that strain depth profiles largely depend on fabrication techniques. Furthermore, we will discuss the possibility of simultaneous 2D-mapping measurements of strain components and carrier concentrations which could be estimated from the broadening factors of exciton signals in reflectance spectra. | |
| キーワード | （和） | GaN基板 / 残留歪み / 価電子帯 / 反射スペクトル / / / / |
| （英） | GaN substrate / residual strain / valence band / reflectance spectroscopy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-113, pp. 87-91, 2011年11月. | |
| 資料番号 | LQE2011-113 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-90 CPM2011-139 LQE2011-113 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 2D-mapping measurement of residual strain in GaN substrates by micro-reflectance spectroscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN基板 / GaN substrate |
| キーワード(2)（和/英） | 残留歪み / residual strain |
| キーワード(3)（和/英） | 価電子帯 / valence band |
| キーワード(4)（和/英） | 反射スペクトル / reflectance spectroscopy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 耿 慧遠 / H. Y. Geng / ゲン フイユェン |
| 第2著者 所属（和/英） | 古河機械金属 (略称： 古河機械金属) Furukawa Co.Ltd (略称： Furukawa) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 砂川 晴夫 / Haruo Sunakawa / スナカワ ハルオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 古河機械金属 (略称： 古河機械金属) Furukawa Co.Ltd (略称： Furukawa) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石原 裕次郎 / Y. Ishihara / イシハラ ユウジロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 古河機械金属 (略称： 古河機械金属) Furukawa Co.Ltd (略称： Furukawa) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松枝 敏晴 / Toshiharu Matsueda / マツエダ トシハル |
| 第5著者 所属（和/英） | 古河機械金属 (略称： 古河機械金属) Furukawa Co.Ltd (略称： Furukawa) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 碓井 彰 / Akira Usui / ウスイ アキラ |
| 第6著者 所属（和/英） | 古河機械金属 (略称： 古河機械金属) Furukawa Co.Ltd (略称： Furukawa) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-18 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2011-90, CPM2011-139, LQE2011-113 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.87-91 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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