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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-29 09:50 ［招待講演］LSIパッケージ用高密度配線技術 ○谷 元昭・佐々木伸也（富士通研）・上西啓介（阪大）  CPM2011-155 ICD2011-87 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2011-155 ICD2011-87 |
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| 抄録 | （和） | LSIパッケージ基板用の高密度配線を目的とした我々の開発技術を紹介する。絶縁膜上の配線形成では、絶縁膜表面に水酸基を形成し、シランカップリング剤と反応させる密着付与技術を開発した。これにより、平滑絶縁膜表面に密着力の高い微細銅配線の形成が可能である。平滑配線表面の絶縁膜形成では、トリアジンチオールとシランカップリング剤の2段階処理の密着付与技術を開発した。これらの平滑配線技術は、今後のLSIパッケージ基板の高密度化だけでなく、高周波伝送にも有効である。 |
| （英） | We introduce high-density wiring technologies for LSI package substrates. For wiring fabrication on the dielectric layer, we have developed adhesive technology based on the formation of hydroxyl groups on the dielectric surface and the reaction of silane coupling agent with these groups. Therefore we can form fine-pitch Cu wiring on a smooth dielectric surface with a high adhesive strength. Furthermore, for the formation of the dielectric layer on a smooth wiring surface, we have developed an adhesive technology that uses a two-step treatment of triazine trithiol and silane coupling agent. These smooth wiring technologies we have developed are effective not only for higher density but also higher frequency transmission of future LSI package substrates. | |
| キーワード | （和） | LSIパッケージ / 密着 / カップリング剤 / トリアジンチオール / 平滑配線 / / / |
| （英） | LSI package / Adhesion / Coupling agent / Triazine trithiol / Smooth wiring / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 326, CPM2011-155, pp. 35-40, 2011年11月. | |
| 資料番号 | CPM2011-155 | |
| 発行日 | 2011-11-21 (CPM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2011-155 ICD2011-87 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2011-155 ICD2011-87 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM |
| 開催期間 | 2011-11-28 - 2011-11-30 |
| 開催地（和） | ニューウェルシティ宮崎 |
| 開催地（英） | NewWelCity Miyazaki |
| テーマ（和） | デザインガイア2011 -VLSI設計の新しい大地― |
| テーマ（英） | Design Gaia 2010 -New Field of VLSI Design- |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-11-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | LSIパッケージ用高密度配線技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Density Wiring Technology for LSI Packages |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | LSIパッケージ / LSI package |
| キーワード(2)（和/英） | 密着 / Adhesion |
| キーワード(3)（和/英） | カップリング剤 / Coupling agent |
| キーワード(4)（和/英） | トリアジンチオール / Triazine trithiol |
| キーワード(5)（和/英） | 平滑配線 / Smooth wiring |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷 元昭 / Motoaki Tani / タニ モトアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 富士通研究所 (略称： 富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称： FUJITSU LAB.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 伸也 / Shinya Sasaki / ササキ シンヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 富士通研究所 (略称： 富士通研) FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称： FUJITSU LAB.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上西 啓介 / Keisuke Uenishi / ウエニシ ケイスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-29 09:50:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2011-155, ICD2011-87 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.326(CPM), no.327(ICD) |
| ページ範囲 | pp.35-40 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-11-21 (CPM, ICD) |
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