| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-12-16 14:40 poly-Si TFTのオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング ○太田俊史・辻 博史・鎌倉良成・谷口研二（阪大）  SDM2011-142 |
|
| 抄録 | （和） | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)のオーバーシュートドレイン電流の測定を行い、ターンオン過渡特性の評価を行った。さらに、オーバーシュート電流の主要な原因として電子捕獲効果と自己発熱効果を想定し得られた実験結果の解釈を試みた。 ステップ電圧を印加する電極を替えることでこれら2つの効果を分離して評価した結果、poly-Si TFTのターンオン過渡応答において電子捕獲効果と自己発熱効果は似通った時間特性をもたらすが、一方で印加電圧やチャネルサイズに対しては異なる依存性を与えることが分かった。 電子捕獲効果は、特にゲート電圧が低い場合で顕著になるのに対し、印加電力の高い測定条件下やチャネル幅の広いデバイスでは自己発熱効果が顕著化する。また今回の考察に基づき、自己発熱効果によって生じるオーバーシュート電流のモデリングを行ったところ、実験結果の主要な特徴を再現することができた。 |
| （英） | Transient characteristics of drain current in poly-Si thin film transistors (TFTs) are investigated experimentally, and models are proposed to understand the observed characteristics. We consider two mechanisms responsible for causing the overshoot current, i.e., the electron trapping effect and the self-heating effect, and the measurement technique to evaluate separately these two effects are newly developed by changing the terminals on which a step voltage is applied. It is shown that time-decay characteristics induced by these two effects are similar, exhibiting stretched exponential type relaxation. However, the dependence on the applied voltage and device geometry is different; the electron trapping effect becomes prominent in lower $V_g$ conditions, while the self-heating effect is important in wider TFTs biased with higher input power. Finally, we try to discuss about a model for the overshoot current induced by self-heating effect. | |
| キーワード | （和） | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ / オーバーシュート電流 / 過渡応答 / 自己発熱効果 / 電子捕獲効果 / / / |
| （英） | poly-Si TFT / overshoot current / transient response / self-heating effect / electron trapping effect / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 357, SDM2011-142, pp. 53-58, 2011年12月. | |
| 資料番号 | SDM2011-142 | |
| 発行日 | 2011-12-09 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-142 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-12-16 - 2011-12-16 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Evaluation of Silicon related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | poly-Si TFTのオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization and Modeling of Drain Overshoot Current in Poly-Si Thin Film Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ / poly-Si TFT |
| キーワード(2)（和/英） | オーバーシュート電流 / overshoot current |
| キーワード(3)（和/英） | 過渡応答 / transient response |
| キーワード(4)（和/英） | 自己発熱効果 / self-heating effect |
| キーワード(5)（和/英） | 電子捕獲効果 / electron trapping effect |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 俊史 / Toshifumi Ota / オオタ トシフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辻 博史 / Hiroshi Tsuji / ツジ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura / カマクラ ヨシナリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷口 研二 / Kenji Taniguchi / タニグチ ケンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-12-16 14:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-142 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.357 |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-12-09 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]