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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-12-16 10:00 コリメータスパッタ堆積膜の結晶配向制御 ○本多章人・本多直樹（東北工大）  MR2011-33 |
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| 抄録 | （和） | 傾斜コリメータスパッタリングによる傾斜配向膜の作製を検討した。大きな傾斜角を得るには，傾斜コリメータの使用だけでは効果がなく，Ta/Pt下地膜を同時に用いることが必要であることがわかった。Pt膜は5 nm以下の薄膜でも傾斜配向に効果があり，堆積時のAr圧力を高くするほど大きな配向傾斜角が得られることが分かった。しかし，同時に配向分散角が増加した。Pt下地膜はアニール処理で配向傾斜がもどってしまうが，Pt膜上にRu層を形成することで，アニール処理で傾斜角を大きく，かつ配向分散角を小さくできることがわかった。しかし，大気開放を伴う製膜プロセスでは最上層のCo-Cr膜の配向分散角が極端に増加してしまうことが分かった。現行装置では加熱ガス出し温度を低くすることで，Co-Cr膜で7.8 °の傾斜角と9 °以下の比較的小さな配向分散角を得ることができた。 |
| （英） | Preparation of inclined orientation films was studied using oblique incidence collimated sputtering. Large deflection in the orientation direction was found to be realized only with the combination of the oblique incidence collimated sputtering and the under layer of Ta/Pt. Pt layer was effective to the inclination of the orientation down to a film thickness of 5 nm. The inclination angle of the Pt film was increased with increasing the Ar pressure during the deposition, but the orientation dispersion angle was also increased. Annealing was found to reduce the deflection angle for Pt single layer on the Ta seed layer. Although the deflection angle increased and the dispersion angle decreased by the annealing for Pt film with a cover layer of Ru, the dispersion angle of Co-Cr film deposited on the Ru layer showed an extremely large value. Inevitable exposure process of the Ru film surface to atmosphere due to our sputtering apparatus could be the cause of the dispersion increase. It was found that minimized degassing process temperature resulted in a large deflection angle of 7.8-deg. with a relatively small dispersion angle of less than 9-deg. for a Co-Cr film deposited on the Ru layer with no annealing. | |
| キーワード | （和） | コリメータスパッタリング / 斜方堆積 / 結晶配向 / 磁気記録媒体 / Ta / Pt / アニール / |
| （英） | Collimated sputtering / Inclined deposition / Crystalline orientation / Magnetic recording media / Ta / Pt / anneal / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, 2011年12月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2011-12-08 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2011-33 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2011-12-15 - 2011-12-16 |
| 開催地（和） | 愛媛大学 |
| 開催地（英） | Ehime Univ. |
| テーマ（和） | 信号処理, 一般 |
| テーマ（英） | Signal Processing, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2011-12-MR-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | コリメータスパッタ堆積膜の結晶配向制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystalline orientation control of collimated sputtering film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | コリメータスパッタリング / Collimated sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | 斜方堆積 / Inclined deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶配向 / Crystalline orientation |
| キーワード(4)（和/英） | 磁気記録媒体 / Magnetic recording media |
| キーワード(5)（和/英） | Ta / Ta |
| キーワード(6)（和/英） | Pt / Pt |
| キーワード(7)（和/英） | アニール / anneal |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本多 章人 / Akito Honda / ホンダ アキト |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北工業大学 (略称： 東北工大) Tohoku Institute of Technology (略称： Touhoku Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本多 直樹 / Naoki Honda / ホンダ ナオキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北工業大学 (略称： 東北工大) Tohoku Institute of Technology (略称： Touhoku Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-12-16 10:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2011-33 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.350 |
| ページ範囲 | pp.57-62 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-12-08 (MR) |
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