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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-12-16 15:40 SiO2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案 ○岡田亮太・西川誠二・松浦秀治（阪電通大）  SDM2011-144 |
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| 抄録 | （和） | 環境問題への関心の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている．現地で極微量の有害物質を検査するために，低価格で可搬できる蛍光X線検出器が望まれている．当研究室では，市販のX線検出素子である多数（例えば18本）のリングを持つSDD (Silicon Drift Detector) の簡素化に着目し，提案・作製を行った．Si表面の保護酸化膜中に含まれる固定電荷を考慮して素子内部の電位分布のシミュレーションを行ったところ，これまで想定していた良好な電位分布が得られていないことが判明した．この問題を解決する方法として当研究室では，保護酸化膜上に3つの電極（ゲート電極）を蒸着させた構造であるGated SDD (GSDD) を提案した．そして，素子内部の電位分布をシミュレーションし、提案した素子の可能性及び素子の厚膜化を検討した． |
| （英） | Several regulations for hazardous substances have been enforced due to the increase of awareness of environmental issues. To detect a trace of hazardous materials on site, inexpensive and transportable X-ray fluorescence spectrometers are required. To reduce a cost of X-ray detectors, we have tried to simplify commercial X-ray detectors (Silicon Drift Detector: SDD) with metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFET) between approximately 18 rings, and we have proposed a simple-structure SDD with one ring and without MOSFETs (one-ring SDD). By the results of device simulation, however, it is found that positive fixed charges in the protective oxide film near the SiO2/Si interface make the realization of one-ring SDD difficult. In this study, a new device structure of X-ray detectors, called a gated SDD (GSDD), is proposed, and investigated by device simulation. To enhance sensitivities of high-energy X-rays, moreover, the possibilities for GSDD with thicker Si are investigated. | |
| キーワード | （和） | Silicon Drift Detector / Gated SDD / X線検出素子 / 低価格 / 厚膜化 / / / |
| （英） | Silicon Drift Detector / Gated SDD / X-ray Detector / Low-Cost Detector / Thicker GSDD / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 357, SDM2011-144, pp. 65-70, 2011年12月. | |
| 資料番号 | SDM2011-144 | |
| 発行日 | 2011-12-09 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-144 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-12-16 - 2011-12-16 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Evaluation of Silicon related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiO2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Proposal of Optimized Structure of X-Ray Detectors Reducing Effect of Fixed Charges at SiO2/Si interface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Silicon Drift Detector / Silicon Drift Detector |
| キーワード(2)（和/英） | Gated SDD / Gated SDD |
| キーワード(3)（和/英） | X線検出素子 / X-ray Detector |
| キーワード(4)（和/英） | 低価格 / Low-Cost Detector |
| キーワード(5)（和/英） | 厚膜化 / Thicker GSDD |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 亮太 / Ryota Okada / オカダ リョウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西川 誠二 / Seiji Nishikawa / ニシカワ セイジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura / マツウラ ヒデハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-12-16 15:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-144 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.357 |
| ページ範囲 | pp.65-70 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-12-09 (SDM) |
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