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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-01-12 12:50 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析 ○小野寺 啓・中島 敦・堀尾和重（芝浦工大）  ED2011-133 MW2011-156 |
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| 抄録 | （和） | ゲート長やゲート・ドレイン間距離が比較的短いフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの２次元数値解析を行い，耐圧特性について検討した．その結果，バッファ層内のアクセプタ濃度が高い場合，耐圧はキャリアの衝突イオン化により決まり，フィールドプレート長増加と共に耐圧は逆に低下することが示された．これはフィールドプレート端とドレイン間距離が短くなり，そこの電界が非常に高くなるためである．一方，バッファ層内アクセプタ濃度が低い場合，バッファ層リーク電流が非常に大きくなってこれが耐圧を決め，耐圧は非常に低くなることが示された．この場合，フィールドプレート長増加と共に耐圧は増大した． |
| （英） | In this work, we perform two-dimensional analysis of breakdown characteristics in field-plate AlGaN/GaN HEMTs with a short gate length and a short gate-to-drain distance. It is shown that when an acceptor density in a buffer layer is high, the breakdown voltage is determined by impact ionization of carriers, and it can decrease with increasing the field-plate length. On the other hand, when the acceptor density in the buffer layer is low, the buffer leakage current becomes very large and this can determine the breakdown voltage, which becomes very low. In this case, the breakdown voltage increases with increasing the field-plate length. | |
| キーワード | （和） | GaN / HEMT / フィールドプレート / 耐圧 / バッファトラップ / ２次元解析 / / |
| （英） | GaN / HEMT / field plate / breakdown voltage / buffer trap / two-dimensional analysis / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 373, ED2011-133, pp. 81-85, 2012年1月. | |
| 資料番号 | ED2011-133 | |
| 発行日 | 2012-01-04 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-133 MW2011-156 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2012-01-11 - 2012-01-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analusis of Buffer-Impurity and Field-Plate Effects on Breakdown Performance in Small-Sized AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | フィールドプレート / field plate |
| キーワード(4)（和/英） | 耐圧 / breakdown voltage |
| キーワード(5)（和/英） | バッファトラップ / buffer trap |
| キーワード(6)（和/英） | ２次元解析 / two-dimensional analysis |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野寺 啓 / Hiraku Onodera / オノデラ ヒラク |
| 第1著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 敦 / Atsushi Nakajima / ナカジマ アツシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀尾 和重 / Kazushige Horio / ホリオ カズシゲ |
| 第3著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-01-12 12:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-133, MW2011-156 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.373(ED), no.374(MW) |
| ページ範囲 | pp.81-85 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-01-04 (ED, MW) |
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