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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-02-07 15:15 パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性 ○竹中浩人・篠原迪人・内田貴史・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大）  ED2011-145 SDM2011-162 |
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| 抄録 | （和） | 単電子トランジスタ（SET）は、低消費電力で動作するデバイスとして知られているが、その高速動作性に関しては、十分調べられていない。SETのドレイン電極に交流電圧を印加すると、クーロンダイヤモンドの非対称性から整流作用を示すことが知られている。本研究では、ドレイン電極に高周波電圧を印加した際のこの整流作用を用いて、シリコンSETの高周波特性を評価できることを明らかにしたので報告する。 |
| （英） | Single electron transistor (SET) is a low power device. However, the high frequency operation properties have not been investigated. It is well known that when alternating current voltage is applied to drain terminal of SET, rectifying of the voltage occurs according as the gate voltage due to the asymmetry of Coulomb diamond. By the use of the effect, we evaluated the high-frequency properties of Si SETs by applying high-frequency alternating-current voltage to the drain terminal. | |
| キーワード | （和） | 単電子 / クーロンダイヤモンド / 高周波 / 整流作用 / / / / |
| （英） | single-electron / Coulomb-diamond / high-frequency / rectifying-effect / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 426, SDM2011-162, pp. 19-24, 2012年2月. | |
| 資料番号 | SDM2011-162 | |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-145 SDM2011-162 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2012-02-07 - 2012-02-08 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Frequency Properties of Si Single-Electron Transistors Fabricated by Pattern-Dependent Oxidation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子 / single-electron |
| キーワード(2)（和/英） | クーロンダイヤモンド / Coulomb-diamond |
| キーワード(3)（和/英） | 高周波 / high-frequency |
| キーワード(4)（和/英） | 整流作用 / rectifying-effect |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹中 浩人 / Hiroto Takenaka / タケナカ ヒロト |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Uni.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠原 迪人 / Michito Shinohara / シノハラ ミチト |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Uni.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 貴史 / Takafumi Uchida / ウチダ タカフミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Uni.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有田 正志 / Masashi Arita / アリタ マサシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Uni.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 聡 / Akira Fujiwara / フジワラ アキラ |
| 第5著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi / タカハシ ヤスオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Uni.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-02-07 15:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2011-145, SDM2011-162 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.425(ED), no.426(SDM) |
| ページ範囲 | pp.19-24 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) |
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