2月7日(火) 午後
13:30 - 17:20 |
| (1) |
13:30-14:10 |
［招待講演］Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象  ED2011-142 SDM2011-159 |
○品田賢宏・堀 匡寛（早大）・Filipo Guagliardo（ミラノ工科大）・小野行徳（NTT）・熊谷国憲・谷井孝至（早大）・Enrico Prati（CNR） |
| (2) |
14:10-14:35 |
第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析 ED2011-143 SDM2011-160 |
○葛屋陽平・モラル ダニエル・水野武志・田部道晴（静岡大）・水田 博（北陸先端大/サザンプトン大） |
| (3) |
14:35-15:00 |
KFM observation of individual dopant potentials and electron charging ED2011-144 SDM2011-161 |
○Roland Nowak・Miftahul Anwar・Daniel Moraru・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.） |
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15:00-15:15 |
休憩 （ 15分 ） |
| (4) |
15:15-15:40 |
パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性 ED2011-145 SDM2011-162 |
○竹中浩人・篠原迪人・内田貴史・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大） |
| (5) |
15:40-16:05 |
InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価 ED2011-146 SDM2011-163 |
○渡邉龍郎・乙幡 温・和保孝夫（上智大）・Kai Blekker・Werner Prost・Franz-Josef Tegude（Univ. of Duisburg-Essen） |
| (6) |
16:05-16:30 |
共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性 ED2011-147 SDM2011-164 |
○潘 ケツ・早野一起・森 雅之・前澤宏一（富山大） |
| (7) |
16:30-16:55 |
共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化 ED2011-148 SDM2011-165 |
○高塚裕也・高萩和宏（北大）・佐野栄一（北大/JST）・Victor Ryzhii（会津大/JST）・尾辻泰一（東北大/JST） |
| (8) |
16:55-17:20 |
シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光 ED2011-149 SDM2011-166 |
○登坂仁一郎・西口克彦・影島博之・藤原 聡（NTT） |
2月8日(水) 午前
09:30 - 14:40 |
| (9) |
09:30-09:55 |
SPMスクラッチ加工を用いた金属チャネル狭窄過程におけるコンダクタンスの量子化 ED2011-150 SDM2011-167 |
○須田隆太郎・大山隆宏・白樫淳一（東京農工大） |
| (10) |
09:55-10:20 |
電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法を用いた直列型ナノギャップの集積化と特性制御 ED2011-151 SDM2011-168 |
○伊藤光樹・秋元俊介・白樫淳一（東京農工大） |
| (11) |
10:20-10:45 |
MgF_(2)/Feナノドット/MgF_(2)薄膜における電気伝導特性 ED2011-152 SDM2011-169 |
○石川琢磨・佐藤栄太・浜田弘一・有田正志・高橋庸夫（北大） |
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10:45-11:00 |
休憩 （ 15分 ） |
| (12) |
11:00-11:25 |
外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数 ED2011-153 SDM2011-170 |
○ファイズ サレ（静岡大/学振）・三輪一聡・池田浩也（静岡大） |
| (13) |
11:25-11:50 |
急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴 ED2011-154 SDM2011-171 |
○西口克彦・藤原 聡（NTT） |
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11:50-13:00 |
昼食 （ 70分 ） |
| (14) |
13:00-13:25 |
単層カーボンナノチューブネットワークにおける一次元伝導特性 ED2011-155 SDM2011-172 |
○田中 朋・森 健一郎・佐野栄一・古月文志・Hongwen Yu（北大） |
| (15) |
13:25-13:50 |
CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響 ED2011-156 SDM2011-173 |
○鈴木耕佑・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） |
| (16) |
13:50-14:15 |
SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析 ED2011-157 SDM2011-174 |
村松 徹・○葛西誠也・谷田部然治（北大） |
| (17) |
14:15-14:40 |
光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討 ED2011-158 SDM2011-175 |
○佐藤将来・村松 徹・葛西誠也（北大） |
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