講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-02-08 13:25
CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響 ○鈴木耕佑・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝(名大) ED2011-156 SDM2011-173 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-156 SDM2011-173 |
抄録 |
(和) |
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いて調べ、Au電極やSiO2基板との界面付近に高濃度の正電荷が偏在することを見出している。デバイスシミュレーションにより、これらの界面電荷がCNFETの特性に及ぼす影響について調べ、主にAu電極とゲート絶縁膜との界面に存在する電荷がCNFETの伝導型極性を変化させることを明らかにしている。 |
(英) |
We have investigated the interface charges generated at the interfaces of the gate insulator in carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) by Kelvin probe force microscopy. It has been found that positive charges are concentrated near the interfaces of the gate insulator with Au electrodes and with a SiO2 substrate. We have also studied the effect of the positive interface charges on the property of CNFETs, using the device simulation. It has been revealed that the charges at the interface of the gate insulator with the Au electrodes is responsible for the change in the polarity of conduction carriers of CNFETs. |
キーワード |
(和) |
カーボンナノチューブ / ALD / high-k / ゲート絶縁膜 / 界面 / / / |
(英) |
carbon nanotube / ALD / high-k / gate insulator / interface / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 425, ED2011-156, pp. 83-87, 2012年2月. |
資料番号 |
ED2011-156 |
発行日 |
2012-01-31 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2011-156 SDM2011-173 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-156 SDM2011-173 |
研究会情報 |
研究会 |
ED SDM |
開催期間 |
2012-02-07 - 2012-02-08 |
開催地(和) |
北海道大学 百年記念会館 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
機能ナノデバイスおよび関連技術 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2012-02-ED-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Charge distribution near interface of high-k gate insulator in CNFETs |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
カーボンナノチューブ / carbon nanotube |
キーワード(2)(和/英) |
ALD / ALD |
キーワード(3)(和/英) |
high-k / high-k |
キーワード(4)(和/英) |
ゲート絶縁膜 / gate insulator |
キーワード(5)(和/英) |
界面 / interface |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
鈴木 耕佑 / Kosuke Suzuki / スズキ コウスケ |
第1著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大野 雄高 / Yutaka Ohno / オオノ ユタカ |
第2著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル |
第3著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ |
第4著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2012-02-08 13:25:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2011-156, SDM2011-173 |
巻番号(vol) |
vol.111 |
号番号(no) |
no.425(ED), no.426(SDM) |
ページ範囲 |
pp.83-87 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2012-01-31 (ED, SDM) |