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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-03-02 10:00 複数のパルス信号を用いたサブハーモニック注入同期発振器 ○堤 恒次・津留正臣・谷口英司（三菱電機）  MW2011-180 |
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| 抄録 | （和） | サブハーモニック注入同期発振器において，注入信号と出力信号との周波数比が大きい場合，注入同期のロックレンジが狭くなり，位相雑音の抑圧量が低下するという問題がある．ここでは，周波数比が大きな場合にも低雑音特性が得られる方法として，基準信号から生成した複数の位相シフトパルスを合成し，注入同期発振器に注入する構成を提案する．SiGe-BiCMOSプロセスを用いて提案する注入同期発振器を試作し，評価した結果，提案する構成により，注入パルス数を増やすことで，従来に比べて位相雑音特性を改善できることを確認した． |
| （英） | A locking range of sub-harmonic injection-locked oscillator is inversely proportional to the frequency ratio between injection signal and output signal, therefore the phase noise suppression becomes less effective when the frequency ratio is large. This paper proposes novel sub-harmonic injection-locked oscillator, which uses injection signal generated from multiple phase shifted reference signals. The proposed sub-harmonic injection-locked oscillator is demonstrated using SiGe-BiCMOS process, realizing low phase noise characteristics compared to the conventional circuit. | |
| キーワード | （和） | 注入同期 / サブハーモニック / 位相雑音 / PLL / VCO / SiGe BiCMOS / RF-IC / |
| （英） | Injection-locked / Sub-harmonic / Phase Noise / PLL / VCO / SiGe BiCMOS / RF-IC / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 458, MW2011-180, pp. 71-75, 2012年3月. | |
| 資料番号 | MW2011-180 | |
| 発行日 | 2012-02-23 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2011-180 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2012-03-01 - 2012-03-02 |
| 開催地（和） | 佐賀大学 |
| 開催地（英） | Saga University |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2012-03-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 複数のパルス信号を用いたサブハーモニック注入同期発振器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Sub-harmonic Injection-locked Oscillator with Multiple Pulse Injection |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 注入同期 / Injection-locked |
| キーワード(2)（和/英） | サブハーモニック / Sub-harmonic |
| キーワード(3)（和/英） | 位相雑音 / Phase Noise |
| キーワード(4)（和/英） | PLL / PLL |
| キーワード(5)（和/英） | VCO / VCO |
| キーワード(6)（和/英） | SiGe BiCMOS / SiGe BiCMOS |
| キーワード(7)（和/英） | RF-IC / RF-IC |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堤 恒次 / Koji Tsutsumi / ツツミ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 津留 正臣 / Masaomi Tsuru / ツル マサオミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷口 英司 / Eiji Taniguchi / タニグチ エイジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-03-02 10:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2011-180 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.458 |
| ページ範囲 | pp.71-75 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-02-23 (MW) |
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