| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-03-05 11:20 InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化 ○金子貴昭・井上尚也・齋藤 忍・古武直也・砂村 潤・川原 潤・羽根正巳・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2011-178 |
|
| 抄録 | （和） | 本論文では、ワイドギャップ酸化物半導体InGaZnOを伝導チャネルに用いた、LSI多層配線中に高耐圧インターフェイスを低コストで形成可能なBEOLトランジスタのデバイス信頼性の改善検討について報告する。IGZOチャネルの膜中酸素状態の制御によって、過剰な膜中酸素に起因する深いドナー準位の生成が抑制可能で、デバイス動作の高温安定性や閾値シフトが大幅に改善する。ゲート/ドレイン間のオフセット構造化により、高Vd(~20V)印加時のゲートリークの増大が抑制され、高Vdでの安定動作が得られる。IGZO膜の酸素制御とゲート/ドレインのオフセット構造化により、高耐圧インターフェイスとしてのBEOLトランジスタの高信頼化が実現できる。 |
| （英） | Reliability of BEOL-transistors with a wide-gap oxide semiconductor InGaZnO film for high-voltage interface, integrated into LSI Cu-interconnects at low cost, is discussed in terms of improvements of device reliabilities. The oxygen control in IGZO reduces deep donor-states to improve temperature stability and Vth shift. A gate/drain offset structure effectively suppresses the gate leakage current, resulting in a stable operation at high Vd bias condition (~20V). The oxygen-controlled IGZO and gate/drain offset structure are important for making the BEOL-transistors applicable to high/low voltage I/Os bridging. | |
| キーワード | （和） | InGaZnO / BEOL / トランジスタ / ワイドギャップ / / / / |
| （英） | InGaZnO / BEOL / Transistor / wide-gap / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 463, SDM2011-178, pp. 13-17, 2012年3月. | |
| 資料番号 | SDM2011-178 | |
| 発行日 | 2012-02-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-178 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-03-05 - 2012-03-05 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | Wiring and Assembly Technology, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-03-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly Reliable BEOL-Transistor with oxygen-controlled InGaZnO channel and Gate/Drain Offset design |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaZnO / InGaZnO |
| キーワード(2)（和/英） | BEOL / BEOL |
| キーワード(3)（和/英） | トランジスタ / Transistor |
| キーワード(4)（和/英） | ワイドギャップ / wide-gap |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金子 貴昭 / Kishou Kaneko / カネコ キショウ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 尚也 / Naoya Inoue / イノウエ ナオヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 忍 / Shinobu Saito / サイトウ シノブ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古武 直也 / Naoya Furutake / フルタケ ナオヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 砂村 潤 / Hiroshi Sunamura / スナムラ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川原 潤 / Jun Kawahara / カワハラ ジュン |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 羽根 正巳 / Masami Hane / ハネ マサミ |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 喜宏 / Yoshihiro Hayashi / ハヤシ ヨシヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-03-05 11:20:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-178 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.463 |
| ページ範囲 | pp.13-17 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-02-27 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]