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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-03-05 10:05 ［基調講演］BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発 ○木村紳一郎（超低電圧デバイス技研組合）  SDM2011-176 |
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| 抄録 | （和） | 抵抗変化を起こす機能材料を,集積回路の配線（BEOL）プロセスを用いて配線間に埋め込んだ抵抗変化型不揮発デバイスは，動作電圧の低電圧化限界を迎えつつあるMOSFETに代わって，更なる低電圧化が可能なデバイスの候補である．本稿では，超低電圧デバイス技術研究組合で開発している磁性変化，相変化，原子移動などの物理現象を利用した抵抗変化型不揮発デバイスに関して，進捗と課題,および,デバイス試作と実証に向けたウエハ試作に関する新たな取り組みを紹介する． |
| （英） | Resistive-change non-volatile devices, in which variable resistance materials are embedded during Back-end of Line process, are promising candidate for low voltage/power devices, instead of a conventional MOSFET facing voltage reduction limit. A magneto resistance change device, a phase change device and an atom migration device, which have been under development by project LEAP, are introduced, focusing on progresses and issues as well as a new wafer fabrication scheme that combines a Tsukuba SCR 300-mm line and a 300-mm production line. | |
| キーワード | （和） | 超低電圧デバイス / BEOL / 抵抗変化型デバイス / 不揮発 / 磁性変化 / 相変化 / 原子移動 / |
| （英） | low voltage/power devices / Resistive-change non volatile devices / magneto-resistance change / phase change / atom migration / LEAP / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 463, SDM2011-176, pp. 1-5, 2012年3月. | |
| 資料番号 | SDM2011-176 | |
| 発行日 | 2012-02-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-176 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-03-05 - 2012-03-05 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | Wiring and Assembly Technology, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-03-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Ultra Low Voltage Devices utilizing BEOL Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超低電圧デバイス / low voltage/power devices |
| キーワード(2)（和/英） | BEOL / Resistive-change non volatile devices |
| キーワード(3)（和/英） | 抵抗変化型デバイス / magneto-resistance change |
| キーワード(4)（和/英） | 不揮発 / phase change |
| キーワード(5)（和/英） | 磁性変化 / atom migration |
| キーワード(6)（和/英） | 相変化 / LEAP |
| キーワード(7)（和/英） | 原子移動 / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 紳一郎 / Shin'ichiro Kimura / キムラ シンイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-03-05 10:05:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-176 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.463 |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-02-27 (SDM) |
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