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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-03-26 10:25 MEMS混載LSIに適した高耐圧容量測定回路 ○児玉和俊・池田 誠（東大）  ICD2011-146 |
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| 抄録 | （和） | 本論文では,高耐圧で,なおかつ蓄えられた電荷量に依存せず MEMS の容量値測定を行う回路を提案する.MEMS の駆動やセンシングのインターフェイスはキャパシタにより構成されることが多く,その容量値は LSI によって測定される.その中でもキャパシタに電荷を与えて MEMS の駆動を行うようなアプリケーションにおいては,測定結果がキャパシタに蓄えられた電荷量に依存しない方法が求められている.また,MEMS は LSI と比較して駆動電圧が高いので,測定回路は耐圧を考慮する必要がある.これらの要求を満たした回路を実現するために,本提案手法ではキャパシタから一定の電荷量の引き抜きを行い,引き抜きによるキャパシタの電圧変化から容量値を導出する.なお,提案手法の有効性はシミュレーションによって示す. |
| （英） | This paper proposes a high voltage torelant MEMS capacitance measurement circuit which does not depend on charge of capacitance. Interfaces for MEMS driving and sensing are mostly composed of capacitor, and LSI measures their capacitance. In case of the applications which are drriven by charge of the capacitor, it is required that measurement result does not depend on the charge. As driving voltage of MEMS is higher than that of LSI, it is important for the measurement circuit to consider voltage torelant. To realize a circuit which meets the demand of these, our proposed circuit draw constant charge of the capacitor and calculate the capacitance from amount of voltage change. The availability of proposed method is shown by simulation. | |
| キーワード | （和） | 容量測定 / 高耐圧 / MEMS混載LSI / / / / / |
| （英） | Capacitance measurement / High voltage torelant / MEMS integrated LSI / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 497, ICD2011-146, pp. 7-12, 2012年3月. | |
| 資料番号 | ICD2011-146 | |
| 発行日 | 2012-03-19 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2011-146 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2012-03-26 - 2012-03-26 |
| 開催地（和） | 大阪大学銀杏会館 |
| 開催地（英） | Osaka Univ. |
| テーマ（和） | 最先端の脳科学と集積化技術の融合 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2012-03-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MEMS混載LSIに適した高耐圧容量測定回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Voltage Torelant Capacitance Measurement Circuit Proper to MEMS integrated LSI |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 容量測定 / Capacitance measurement |
| キーワード(2)（和/英） | 高耐圧 / High voltage torelant |
| キーワード(3)（和/英） | MEMS混載LSI / MEMS integrated LSI |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 児玉 和俊 / Kazutoshi Kodama / コダマ カズトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 誠 / Makoto Ikeda / イケダ マコト |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-03-26 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2011-146 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.497 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-03-19 (ICD) |
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