| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2012-04-23 13:20
[招待講演]18MB/sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発 ○亀井輝彦・Yan Li・Seungpil Lee・大和田 健・Hao Nguyen・Qui Nguyen・Nima Mokhlesi・Cynthia Hsu・Jason Li・Venky Ramachandra・東谷政昭・Tuan Pham・渡邉光恭(サンディスク)・本間充祥・渡辺慶久(東芝) ICD2012-2 |
| 抄録 |
(和) |
19nm製造プロセスを用い、シングルチップとしては最大容量となる128Gb 3-bit/cell NAND型フラッシュメモリを開発した。NAND型フラッシュメモリとしては最大のGb/mm2である、チップサイズ170mm2を実現した。3-bit per cellでありながら、All Bit-Line (ABL)アーキテクチャ、Air Gap技術、400Mbps トグルモードI/Oインターフェースの採用により、標準BCH ECCにおいても18MB/sの書き込みスループットを実現した。 |
| (英) |
A 128Gb 8-level NAND flash memory using 19nm CMOS technology has been developed. 128Gb is the largest single-chip capacity NAND memory. At 170mm2 die size, this development achieves the highest Gb/mm2 in NAND flash memory. In addition to All Bit-Line (ABL) programming and sensing, Air Gap technology and a Toggle Mode 400Mbps I/O interface, along with improvements in sensing accuracy, enable this 3-bit per cell (X3) design to achieve a write throughput of 18MB/s using standard BCH ECC. |
| キーワード |
(和) |
NAND Flash Memory / 3bit/cell / MLC / 19nm CMOS / / / / |
| (英) |
NAND Flash Memory / 3bit/cell / MLC / 19nm CMOS / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 15, ICD2012-2, pp. 7-12, 2012年4月. |
| 資料番号 |
ICD2012-2 |
| 発行日 |
2012-04-16 (ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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