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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-04-27 15:40 ［招待講演］ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT ○黒木伸一郎（東北大）  SDM2012-6 OME2012-6 |
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| 抄録 | （和） | Gaussianレーザスポットをもつ連続発振レーザラテラル結晶化により平均20×2μm2の粒径をもつpoly-Si薄膜を形成し、これを用いた高性能薄膜トランジスタ（TFT）を作製した。さらにトランジスタへの歪み印加の効果を調べるために、Double-gate型TFTを作製し、上下チャネルでの移動度を調べることにより、引っ張り歪み印加による電子移動度向上を示した。またTri-gate型のTFTにより、一軸性ひずみによる移動度向上を示した。更にTri-gate型により移動度ばらつきの低減を示した。ダブルラインビーム連続発振レーザ結晶化により、poly-Si結晶薄膜の面方位制御を行い、100 μｍを超える長さの、(110)-(111)-(211)面方位に3軸制御したシリコン結晶グレインを形成した。このpoly-Si薄膜を用いたTFT作製し、その特性を調べた。 |
| （英） | Poly-Si thin films with large crystal grains of 20×2μm2 were fabricated by continuous-wave laser lateral crystallization with Gaussian laser spot, and its high-performance TFT was also fabricated. Strain effects on the electron mobility were investigated with double-gate TFTs and tri-gate TFTs. Highly bi-axially oriented poly-Si thin films with very long grains were successfully fabricated on quartz substrates by double-line beam continuous wave laser crystallization. The newly-developed technique achieved highly-oriented silicon grains having {110}, {111} and {211} crystal orientations in the laser lateral crystallized plane, the transverse side plane and the surface plane, respectively. All the silicon grains were elongated in the laser-scanning direction and linearly arranged with a length of over 100 µm and a width of 0.7 µm. TFTs with this well-crystal oriented poly-Si thin films were also fabricated. | |
| キーワード | （和） | TFT / シリコン / レーザ結晶化 / 面方位制御 / 結晶粒界 / / / |
| （英） | TFT / Silicon / laser crystallization / crystal orientation / crystal boundary / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 18, SDM2012-6, pp. 27-32, 2012年4月. | |
| 資料番号 | SDM2012-6 | |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-6 OME2012-6 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2012-04-27 - 2012-04-28 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Biaxially-Oriented Poly-Si Thin Films by Double-Line Beam Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization for High-Performance TFT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(3)（和/英） | レーザ結晶化 / laser crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 面方位制御 / crystal orientation |
| キーワード(5)（和/英） | 結晶粒界 / crystal boundary |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒木 伸一郎 / Shin-Ichiro Kuroki / クロキ シンイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-04-27 15:40:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-6, OME2012-6 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.18(SDM), no.19(OME) |
| ページ範囲 | pp.27-32 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) |
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