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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-04-27 16:50 埋め込みゲート構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT ○尾形浩之・一條賢治・近藤健二・岡部泰典・鹿 裕将・加茂慎哉・原 明人（東北学院大）  SDM2012-9 OME2012-9 |
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| 抄録 | （和） | マルチゲート多結晶Si（poly-Si）薄膜トランジスタ（TFT）は近年注目を集め, 盛んに研究されているテーマの１つである．本稿では埋め込みメタルゲートを有する自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFTを550Cのプロセス温度でガラス基板上に作製した結果について報告する．N-ch TFTの見かけ上の移動度は530 cm2/Vsであり，s値は140 mV/decであった．この特性はトップゲートn-ch低温poly-Si TFTに比べ優れた性能である． |
| （英） | A multigate polycrystalline-silicon (poly-Si) thin-film transistor (TFT) is one of the recent topics in the field of Si devices. In this study, self-aligned planar metal double-gate poly-Si TFTs consisting of an embedded bottom metal gate, top metal gate fabricated by a self-alignment process, and a lateral poly-Si film with a grain size of more than 2 μm, were fabricated on a glass substrate at 550C. The nominal field-effect mobility of the n-channel TFT is 530 cm2/Vs and its subthreshold slope is 140 mV/dec. The performance of the proposed TFTs is superior to that of top-gate TFTs fabricated using equivalent processes. | |
| キーワード | （和） | ダブルゲート / 多結晶シリコン / 薄膜トランジスタ / / / / / |
| （英） | double-gate / poly-Si / TFT / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 18, SDM2012-9, pp. 41-44, 2012年4月. | |
| 資料番号 | SDM2012-9 | |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-9 OME2012-9 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2012-04-27 - 2012-04-28 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 埋め込みゲート構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-Aligned Planar Metal Double-Gate Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors Fabricated at Low Temperature on Glass Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダブルゲート / double-gate |
| キーワード(2)（和/英） | 多結晶シリコン / poly-Si |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスタ / TFT |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾形 浩之 / Hiroyuki Ogata / オガタ ヒロユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 一條 賢治 / Kenji Ichijo / イチジョウ ケンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 健二 / Kenji Kondo / コンドウ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡部 泰典 / Yasunori Okabe / オカベ ヤスノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鹿 裕将 / Yusuke Shika / シカ ユウスケ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加茂 慎哉 / Shinya Kamo / カモ シンヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-04-27 16:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-9, OME2012-9 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.18(SDM), no.19(OME) |
| ページ範囲 | pp.41-44 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) |
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