講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-04-28 11:50
高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ成膜したリンドープシリコン膜の結晶化 ○西ノ原拓磨・ジャン デデュウ ムジラネザ・白井克弥・鈴木俊治・岡田竜弥・野口 隆(琉球大)・大鉢 忠(同志社大)・松島英紀・橋本隆夫・荻野義明・佐保田英司(日立コンピュータ機器) SDM2012-18 OME2012-18 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-18 OME2012-18 |
抄録 |
(和) |
スパッタ条件を工夫して室温で成膜したリンドープシリコン膜に対して, 青色半導体レーザアニーリング(BLDA)による熱処理を施したところ、試料の結晶性が大きく向上し、シート抵抗値が著しく減少することが確認された。実験で得られたシート抵抗の値を用いてデバイスシミュレーションを行った結果、約2m以下の短いチャネル長でTFT特性の著しい向上が見られた。BLDAは低温化プロセスとしてTFTの高性能化に非常に有効であり、期待される。 |
(英) |
After performing BLDA for phosphorus-doped Si films deposited by sputtering using Ne gas, the crystallinity of the films improved and sheet resistance decreased drastically. By applying the values of sheet resistance to source and drain region into the device simulation, remarkable improvement of TFT characteristics were seen for the TFTs of short channel length. |
キーワード |
(和) |
スパッタ / シリコン / 青色半導体レーザアニーリング / TFT / / / / |
(英) |
sputtering / Si / BLDA / TFT / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 18, SDM2012-18, pp. 79-82, 2012年4月. |
資料番号 |
SDM2012-18 |
発行日 |
2012-04-20 (SDM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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