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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-04-28 11:30 RFスパッタ法により製膜したSiO2及びSiN薄膜の電気特性評価 ○屋宜佳佑・岡田竜弥・野口 隆（琉球大）  SDM2012-17 OME2012-17 |
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| 抄録 | （和） | RFスパッタリングによってSi基板上にSiO2、SiN膜を100 nm製膜した。その後、熱アニールを施し、アニール前後の電気特性を比較した。800℃1時間のアニールを施すことにより、V=-5 VにおいてSiO2膜のリーク電流は5.0×10-8 から3.5×10-10 A/cm2に減少し、一方、SiN膜のリーク電流は1.4×10-8から3.5×10-10 A/cm2に減少した。アニールすることでスパッタ製膜したSiO2、SiNの膜質改善の効果があると考えられる。 |
| （英） | SiO2 and SiN films of 100 nm thickness were deposited on the Si substrate by RF sputtering. After thermal annealing, at 800℃, the leak current of SiO2 film was prominently reduced from 5.0×10-8 down to 3.5×10-10 A/cm2 at -5V. The leak current of SiN film was prominently reduced from 1.4×10-8 down to 5.8×10-10 A/cm2 at -5V. This result suggests that the quality of SiO2 and SiN film was effectively improved by thermal annealing. | |
| キーワード | （和） | スパッタリング / TFT / SiO2 / SiN / ゲート絶縁膜 / / / |
| （英） | Sputtering / TFT / SiO2 / SiN / Gate insulator / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 18, SDM2012-17, pp. 75-77, 2012年4月. | |
| 資料番号 | SDM2012-17 | |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-17 OME2012-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2012-04-27 - 2012-04-28 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RFスパッタ法により製膜したSiO2及びSiN薄膜の電気特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Characterization of SiO2 and SiN Films Deposited by RF Sputtering |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | スパッタリング / Sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(3)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(4)（和/英） | SiN / SiN |
| キーワード(5)（和/英） | ゲート絶縁膜 / Gate insulator |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 屋宜 佳佑 / Keisuke Yagi / ヤギ ケイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ.Ryukyus) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 竜弥 / Tatsuya Okada / オカダ タツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ.Ryukyus) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 隆 / Takashi Noguchi / ノグチ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ.Ryukyus) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-04-28 11:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-17, OME2012-17 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.18(SDM), no.19(OME) |
| ページ範囲 | pp.75-77 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) |
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