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講演抄録/キーワード
講演名 2012-05-17 16:20
光化学堆積SnO2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作
オ ドンボリル森口幸久市村正也名工大ED2012-24 CPM2012-8 SDM2012-26
抄録 (和) 光化学堆積(PCD)法を用いて不純物ドーピングありとなしのSnO2薄膜を作製し、高感度の室温動作水素ガスセンサを作製した。堆積溶液を基板上に垂らし、そこへ超高圧水銀ランプの光を照射することでSnO2薄膜を作製した。堆積された薄膜に光照射Pd処理を施し、アニールすることで水素ガスセンサを作製した。不純物ドーピングありとなしの試料とも水素(5%H2+Ar(0.1atm))に対し103以上の抵抗減少率を示した。さらに作製された試料をポケットテスターと組み合わせることにより小型携帯式水素検出器の作製を試み、その応答を確認した。 
(英) We fabricated highly sensitive room temperature hydrogen sensors based on doped and undoped SnO2 films by the photochemical deposition. For deposition of doped and undoped SnO2 films, a small amount of the solution was dropped on the glass substrate and irradiated by the UV light. Pd was doped to the surface of the SnO2 thin films by the photo irradiation, and then the samples were annealed. The doped and undoped samples showed resistance decrease by a factor >103 for a 5%H2+Ar mixed gas (0.1atm) at room temperature. Furthermore, by combining the sample with a pocket tester, we fabricated the portable type hydrogen detector, and the response was investigated.
キーワード (和) 光化学堆積(PCD)法 / SnO2 / 室温動作水素ガスセンサ / 抵抗 / / / /  
(英) photochemical deposition (PCD) / SnO2 / room temperature hydrogen sensor / resistance / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 33, CPM2012-8, pp. 35-38, 2012年5月.
資料番号 CPM2012-8 
発行日 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2012-24 CPM2012-8 SDM2012-26

研究会情報
研究会 ED SDM CPM  
開催期間 2012-05-17 - 2012-05-18 
開催地(和) 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
開催地(英) VBL, Toyohashi Univ. of Technol. 
テーマ(和) 結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2012-05-ED-SDM-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 光化学堆積SnO2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of portable hydrogen sensors based on photochemically deposited SnO2 thin films 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 光化学堆積(PCD)法 / photochemical deposition (PCD)  
キーワード(2)(和/英) SnO2 / SnO2  
キーワード(3)(和/英) 室温動作水素ガスセンサ / room temperature hydrogen sensor  
キーワード(4)(和/英) 抵抗 / resistance  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) オ ドンボリル / Dengbaoleer Ao / オ ドンボリル
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 森口 幸久 / Yukihisa Moriguchi / モリグチ ユキヒサ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.Univ)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-05-17 16:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 ED2012-24, CPM2012-8, SDM2012-26 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.32(ED), no.33(CPM), no.34(SDM) 
ページ範囲 pp.35-38 
ページ数
発行日 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) 


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