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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-06-21 11:35 ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響 ○加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大）  SDM2012-50 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では，金属/Pr酸化膜/Geゲートスタック構造の化学結合状態にゲート金属が与える影響について，酸素化学ポテンシャル（μO）に基づいて詳細に評価した．還元性を有する金属膜形成はPr酸化膜を還元し，酸化膜中におけるPr3+割合が増大する．ゲート金属の還元性はPr酸化膜/Ge 界面構造にも影響を与え，Oと結合するGe（Ge酸化物もしくはPrGe 酸化物）密度の減少を引き起こす．これらのPr酸化膜およびGe酸化物の還元反応は，還元性金属の酸化物におけるμO が，PrO2形成およびGeO2形成に比べ低いことより説明できる．以上の結果より，還元性を有するゲート金属膜形成はh-Pr2O3形成やGe酸化物界面層減少に有効であり，極薄EOTの実現にはμOに基づいたゲート金属材料の選択も非常に重要であることが明らかになった． |
| （英） | We have investigated the impact of the gate metal on the chemical bonding state in the metal/Pr-oxide/Ge gate stack structure focusing on the oxygen chemical potential (μO). The reductive character of gate metal reduces the Pr-oxide film, increasing the ratio of the Pr3+ component in Pr-oxide film. The reductive character of metal also affects on the Pr-oxide/Ge interfacial structure. It leads to the decrease in the areal density of Ge bonding with O (Ge-oxide and/or PrGe-oxide). These reducing reactions can be explained by the low μO of metal with reductive character than that of PrO2 formation and GeO2 formation. These results suggest that the selection of gate metal in metal/Pr-oxide/Ge gate stack structure focusing on μO is quite important to achieve the thin EOT, attributing to both the formation of the h-Pr2O3 crystalline phase of Pr-oxide and the decrease in the amount of Ge oxides. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム / プラセオジム酸化膜 / ゲート金属 / 還元反応 / 価数 / / / |
| （英） | germanium / praseodymium-oxide / gate metal / reduction reaction / valence state / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-50, pp. 37-42, 2012年6月. | |
| 資料番号 | SDM2012-50 | |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-50 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-06-21 - 2012-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Reducing Character of Gate Metals on Pr Valence State in Pr Oxide Film on Ge Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / germanium |
| キーワード(2)（和/英） | プラセオジム酸化膜 / praseodymium-oxide |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート金属 / gate metal |
| キーワード(4)（和/英） | 還元反応 / reduction reaction |
| キーワード(5)（和/英） | 価数 / valence state |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大/学振) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-06-21 11:35:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-50 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.92 |
| ページ範囲 | pp.37-42 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) |
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