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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-06-21 15:05 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価 ○筒井一生・金原 潤・宮田陽平（東工大）・野平博司（東京都市大）・泉 雄大・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・パールハット アヘメト・角嶋邦之・服部健雄・岩井 洋（東工大）  SDM2012-56 |
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| 抄録 | （和） | Si基板表面にBドープおよびAsドープにより形成された極浅接合中に存在する複数の化学結合状態を持つ不純物の深さ方向濃度プロファイルを軟X線光電子分光法とサブnm単位の表面エッチング手法を組み合わせて求めた。ホール効果測定とも組み合わせ、電気的に活性化している不純物とその化学結合状態の対応を明らかにし、電気的に不活性な不純物がそれぞれの化学結合状態に対応する異なる不純物クラスターを形成していることを推測した。また、この評価手法をSiのFin構造に適用し、Fin構造の上面と側面での不純物の状態とそれぞれの濃度を分離して検出できることを示した。 |
| （英） | Depth profiles of impurity having different chemical bonding states were evaluated by using soft x-ray photoelectron spectroscopy and a sub-nm etching technique on Si ultra shallow junctions doped with B and As. A particular chemical bonding state was correlated with electrically activated impurity atoms by combining with Hall effect measurements. Inactivated impurity atoms having different chemical bonding states were speculated to form different kinds of clusters. By performing the photoelectron spectroscopy studies on Si Fin structure at two photoelectron take-off angles the chemical bonding states of impurity atoms on top surfaces and sidewalls of the Fin structure were found to be different with each other. | |
| キーワード | （和） | 極浅接合 / 不純物プロファイル / 活性化 / 化学結合状態 / 軟X線光電子分光 / / / |
| （英） | ultra shallow junction / impurity profile / electrical activation / chemical bonding state / soft x-ray photoelectron spectroscopy / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-56, pp. 69-74, 2012年6月. | |
| 資料番号 | SDM2012-56 | |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-56 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-06-21 - 2012-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Detection of impurities having various chemical bonding states and their depth profiles in ultra shallow junctions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極浅接合 / ultra shallow junction |
| キーワード(2)（和/英） | 不純物プロファイル / impurity profile |
| キーワード(3)（和/英） | 活性化 / electrical activation |
| キーワード(4)（和/英） | 化学結合状態 / chemical bonding state |
| キーワード(5)（和/英） | 軟X線光電子分光 / soft x-ray photoelectron spectroscopy |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金原 潤 / Jun Kanehara / カネハラ ジュン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮田 陽平 / Youhei Miyata / ミヤタ ヨウヘイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野平 博司 / Hiroshi Nohira / ノヒラ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京都市大学 (略称： 東京都市大) Tokyo City University (略称： Tokyo City Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 泉 雄大 / Yudai Izumi / イズミ ユウダイ |
| 第5著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称： JASRI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 室 隆桂之 / Takayuki Muro / ムロ タカユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称： JASRI) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 豊彦 / Toyohiko Kinoshita / キノシタ トヨヒコ |
| 第7著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称： JASRI) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | パールハット アヘメト / Parhat Ahmet / パールハット アヘメト |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩井 洋 / Hiroshi Iwai / イワイ ヒロシ |
| 第11著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-06-21 15:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-56 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.92 |
| ページ範囲 | pp.69-74 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) |
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