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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-06-22 10:30 GaAs基板上1.3 µm帯メタモルフィックレーザによる20 Gbit/s直接変調動作 ○荒井昌和・金澤 慈・田所貴志・神徳正樹（NTT）  OPE2012-11 LQE2012-15 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2012-11 LQE2012-15 |
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| 抄録 | （和） | 通信用レーザの高速化、低消費電力化の需要が増してきている。GaAs基板上にメタモルフィック成長技術を用いて擬似的なInGaAs基板を作製することで、基板の格子定数の制限から解放された自由度の高い設計が可能となり、InP基板上よりもキャリア閉じ込めがよく、温度特性が良好なレーザの実現が期待される。今回作製した1.3 µm帯ファブリペローレーザを用いて20 Gbit/s動作を実現した。25℃から85℃で明瞭なアイ開口を確認した。また、更なる温度特性向上のために、pクラッド層の一部に電子障壁層を導入した構造のレーザを作製した。特性温度220 K、最高発振温度200℃などの優れた特性を確認した。これらの結果からメタモルフィック成長技術を用いたGaAs基板上1.3 µm帯レーザが高速・低消費電力なレーザ光源として有望であることを確認した。 |
| （英） | There is a strong demand for the efficient use of electric power in telecom and Ethernet systems. We use metamorphic growth technology to increase the flexibility when choosing materials with lattice constants different from that of InP with the aim of realizing improved carrier confinement under high temperature. In this report, we demonstrated a 20 Gbit/s direct modulation with clear eye opening at the temperature between 25 and 85℃. In addition, to increase the temperature characteristics, we introduced electron stopper layer in p-cladding. This laser exhibits a 1.3-µm-range operation with high characteristic temperature (T0 = 220 K) and high operating temperature (200°C). These results show that a laser with a metamorphic buffer on a GaAs substrate is a good candidate as an uncooled light source with a low power consumption. | |
| キーワード | （和） | 半導体レーザ / 温度特性 / メタモルフィック / / / / / |
| （英） | Semiconductor laser / Temperature characteristics / Metamorphic / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 99, LQE2012-15, pp. 9-12, 2012年6月. | |
| 資料番号 | LQE2012-15 | |
| 発行日 | 2012-06-15 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2012-11 LQE2012-15 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2012-11 LQE2012-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE LQE EMD CPM OME |
| 開催期間 | 2012-06-22 - 2012-06-22 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | アクティブデバイスと集積化技術、一般 「材料デバイスサマーミーティング」 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-06-OPE-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaAs基板上1.3 µm帯メタモルフィックレーザによる20 Gbit/s直接変調動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Demonstration on 20 Gbit/s Direct Modulation of 1.3-µm-Range Metamorphic Laser |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor laser |
| キーワード(2)（和/英） | 温度特性 / Temperature characteristics |
| キーワード(3)（和/英） | メタモルフィック / Metamorphic |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 昌和 / Masakazu Arai / アライ マサカズ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金澤 慈 / Shigeru Kanazawa / カナザワ シゲル |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田所 貴志 / Takashi Tadokoro / タドコロ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神徳 正樹 / Masaki Kohtoku / コウトク マサキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-06-22 10:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OPE2012-11, LQE2012-15 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.98(OPE), no.99(LQE) |
| ページ範囲 | pp.9-12 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-06-15 (OPE, LQE) |
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