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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-06-22 14:35 背後電極によるプリント基板上フラッシオーバの方向制御に関する基礎検討 ○稲見 純・平林勝次（富士通テン）・坪井浩太郎・岩井 将・大塚信也（九工大）  EMCJ2012-28 |
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| 抄録 | （和） | 電子機器にESD（静電気放電）が侵入すると，製品の誤動作，半導体デバイスの破壊を引き起こすことがある．ESD対策として保護回路，ESD吸収素子が使用されるが，製品コストの上昇や高密度実装化の妨げとなる．本論文では，プリント基板へ侵入するESDを配線設計のみで接地パターンへ放電させる手法を提案している．さらに，背後電極を設けた配線設計におけるフラッシオーバの方向制御に関して基礎検討を行った． |
| （英） | When the intrusion ESD in electronic Discharge, cause malfunction of the product or destruction of the semiconductor device. Protection circuit or ESD absorption device is used as an anti-ESD, but it might rise product costs or interfere with the high-density mounting. We have proposed a method to ESD discharges to ground pattern only in the wiring design. Moreover, we are trying to control of ESD Flashover direction by back electrode. | |
| キーワード | （和） | 静電気放電 / プリント基板 / フラッシオーバ電圧 / 背後電極 / / / / |
| （英） | electrostatic discharge / printed-wiring board / flashover voltage / back electrode / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 100, EMCJ2012-28, pp. 45-47, 2012年6月. | |
| 資料番号 | EMCJ2012-28 | |
| 発行日 | 2012-06-15 (EMCJ) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMCJ2012-28 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMCJ IEE-EMC |
| 開催期間 | 2012-06-22 - 2012-06-22 |
| 開催地（和） | 大阪大学吹田キャンパス |
| 開催地（英） | Osaka Univ. |
| テーマ（和） | EMC, 一般 |
| テーマ（英） | EMC |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EMCJ |
| 会議コード | 2012-06-EMCJ-EMC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 背後電極によるプリント基板上フラッシオーバの方向制御に関する基礎検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of ESD Flashover Direction on Printed-wiring Board by Back Electrode |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 静電気放電 / electrostatic discharge |
| キーワード(2)（和/英） | プリント基板 / printed-wiring board |
| キーワード(3)（和/英） | フラッシオーバ電圧 / flashover voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 背後電極 / back electrode |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 稲見 純 / Jun Inami / イナミ ジュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 富士通テン株式会社 (略称： 富士通テン) FUJITSU TEN LIMITED (略称： FUJITSU TEN) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平林 勝次 / Katsuji Hirabayashi / ヒラバヤシ カツジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士通テン株式会社 (略称： 富士通テン) FUJITSU TEN LIMITED (略称： FUJITSU TEN) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坪井 浩太郎 / Kotaro Tsuboi / ツボイ コウタロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩井 将 / Sho Iwai / イワイ ショウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大塚 信也 / Shinya Ohtsuka / オオツカ シンヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： KIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-06-22 14:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | EMCJ |
| 資料番号 | EMCJ2012-28 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.100 |
| ページ範囲 | pp.45-47 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2012-06-15 (EMCJ) |
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