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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-06-22 11:20 0.35umBiCMOSプロセスで作製したSiフォトダイオードのGHz応答 ○前北和晃・霜鳥敏之・丸山武男・飯山宏一（金沢大）  OPE2012-13 LQE2012-17 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2012-13 LQE2012-17 |
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| 抄録 | （和） | 現在，集積回路の更なる高速化，低消費電力化に向けて，集積回路と光デバイスの集積化の研究が進められている．この集積化に向け，0.35um BiCMOSプロセスにてSi-PDを作製し，波長650nmでの特性を評価した．作製したSi-PDは，帯域を悪化させる深部発生キャリアをキャンセルする構造が設けられ，この構造の有無による特性比較を行った．また，同じ構造を持つCMOS-APDとの特性比較も行った．深部発生キャリアのキャンセル機構を有するSi-PDにおいて，暗電流は3nA，降伏電圧は13Vであった．0V感度は0.029A/Wであり，13Vから顕著なアバランシェ増幅が確認され，最大感度2.77A/W@13.7V（アバランシェ利得25倍）を得た．周波数帯域はアバランシ降伏時に最大となり，13.3V 印加時で1GHzを得た． |
| （英） | We fabricated silicon photodiode with standard 0.35um bipolar complementary metal-oxide-semiconductor process for optical interconnect applications. The devices were measured at 650 nm wavelength. The dark current of 2.6 nA and the breakdown voltage of 13 V were obtained. The avaranche breakdown occurred at bias voltage of 13 V. The maximum sensitivity was 2.77 A/W at the bias voltage of 13.7 V (the avaranche gain of 25). The 3-dB bandwidth of 1 GHz was obtained at the bias voltage of 13.3 V. | |
| キーワード | （和） | Si / BiCMOS / 光ダイオード / 光集積回路 / 高周波応答 / / / |
| （英） | Si / BiCMOS / Photodiode / OEICs / High frequency response / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 99, LQE2012-17, pp. 17-20, 2012年6月. | |
| 資料番号 | LQE2012-17 | |
| 発行日 | 2012-06-15 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2012-13 LQE2012-17 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2012-13 LQE2012-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE LQE EMD CPM OME |
| 開催期間 | 2012-06-22 - 2012-06-22 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | アクティブデバイスと集積化技術、一般 「材料デバイスサマーミーティング」 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-06-OPE-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 0.35umBiCMOSプロセスで作製したSiフォトダイオードのGHz応答 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GHz response of a Si photodiode fabricated by 0.35um BiCMOS process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | BiCMOS / BiCMOS |
| キーワード(3)（和/英） | 光ダイオード / Photodiode |
| キーワード(4)（和/英） | 光集積回路 / OEICs |
| キーワード(5)（和/英） | 高周波応答 / High frequency response |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前北 和晃 / Kazuaki Maekita / マエキタ カズアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 霜鳥 敏之 / Toshiyuki Shimotori / シモトリ トシユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸山 武男 / Takeo Maruyama / マルヤマ タケオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯山 宏一 / Koichi Iiyama / イイヤマ コウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： Kanazawa Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-06-22 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OPE2012-13, LQE2012-17 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.98(OPE), no.99(LQE) |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-06-15 (OPE, LQE) |
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