| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2012-08-02 13:00
［依頼講演］超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI （SOTB) CMOS技術
○杉井信之・岩松俊明・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・篠原博文・青野英樹・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス）・水谷朋子・平本俊郎（東大）  SDM2012-68 ICD2012-36 |
| 抄録 |
（和） |
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい．消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば，ユビキタスセンサネットワークなどへの広汎な応用が期待できる．現代の微細CMOSにおける超低電圧動作に対する主要課題は，トランジスタ特性のばらつきを抑え，かつ適応制御によって可能な限り低電圧で要求に見合う回路性能を引き出すことである．この課題を解決するために，我々は薄膜BOX-SOI (SOTB) というCMOSトランジスタを開発している．本報告では，SOTBの特長，超低電圧動作に向けたデバイス・プロセス技術，応用分野を拡大するためのデバイス・回路連携に関して述べる． |
| （英） |
Needs for low-power CMOS devices are still increasing. Ultralow-voltage-operation (ULV) CMOS with maximum power efficiency can extend the application field of electron devices: ubiquitous sensor network, etc. The main issues for ULV operation for the modern scaled CMOS are reducing variability and adaptive control of circuit performances enabling the operation at voltages as low as possible. In order to solve these issues, we are developing the silicon-on-thin-buried-oxide (SOTB) transistors. Features of the SOTB, transistor technology dedicated for ULV operation are presented and importance of device-circuit interaction to extend the application field is discussed. |
| キーワード |
（和） |
CMOS / FDSOI / 完全空乏 / 低電力 / ばらつき / 基板バイアス制御 / / |
| （英） |
CMOS / FDSOI / low power / variability / back-bias control / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 169, SDM2012-68, pp. 29-32, 2012年8月. |
| 資料番号 |
SDM2012-68 |
| 発行日 |
2012-07-26 (SDM, ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
SDM2012-68 ICD2012-36 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ICD SDM |
| 開催期間 |
2012-08-02 - 2012-08-03 |
| 開催地（和） |
札幌市男女共同参画センター |
| 開催地（英） |
Sapporo Center for Gender Equality, Sapporo, Hokkaido |
| テーマ（和） |
低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） |
Low-power, low-voltage device and circuit technology |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2012-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI （SOTB) CMOS技術 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Silicon on Thin Buried Oxide (SOTB) Technology for Ultralow-Power (ULP) Applications |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
CMOS / CMOS |
| キーワード(2)（和/英） |
FDSOI / FDSOI |
| キーワード(3)（和/英） |
完全空乏 / low power |
| キーワード(4)（和/英） |
低電力 / variability |
| キーワード(5)（和/英） |
ばらつき / back-bias control |
| キーワード(6)（和/英） |
基板バイアス制御 / |
| キーワード(7)（和/英） |
/ |
| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ |
| 第1著者 所属（和/英） |
超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称： LEAP/Renesas) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
岩松 俊明 / Toshiaki Iwamatsu / イワマツ トシアキ |
| 第2著者 所属（和/英） |
超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称： LEAP/Renesas) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto / ヤマモト ヨシキ |
| 第3著者 所属（和/英） |
超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称： LEAP/Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
槇山 秀樹 / Hideki Makiyama / マキヤマ ヒデキ |
| 第4著者 所属（和/英） |
超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称： LEAP/Renesas) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
角村 貴昭 / Takaaki Tsunomura / ツノムラ タカアキ |
| 第5著者 所属（和/英） |
超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称： LEAP/Renesas) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
篠原 博文 / Hirofumi Shinohara / シノハラ ヒロフミ |
| 第6著者 所属（和/英） |
超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称： LEAP/Renesas) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
青野 英樹 / Hideki Aono / アオノ ヒデキ |
| 第7著者 所属（和/英） |
超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称： LEAP/Renesas) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
尾田 秀一 / Hidekazu Oda / オダ ヒデカズ |
| 第8著者 所属（和/英） |
超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称： LEAP/Renesas) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
蒲原 史朗 / Shiro Kamohara / カモハラ シロウ |
| 第9著者 所属（和/英） |
超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称： LEAP/Renesas) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi / ヤマグチ ヤスオ |
| 第10著者 所属（和/英） |
超低電圧デバイス技術研究組合/ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： 超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)
Low-power Electronics Association & Project/Renesas Electronics Corporation (略称： LEAP/Renesas) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ |
| 第11著者 所属（和/英） |
東京大学生産技術研究所 (略称： 東大)
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称： IIS, The University of Tokyo) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） |
平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第12著者 所属（和/英） |
東京大学生産技術研究所 (略称： 東大)
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo (略称： IIS, The University of Tokyo) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第13著者 所属（和/英） |
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| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第15著者 所属（和/英） |
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| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第21著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第22著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第24著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第25著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第26著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第27著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第28著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第28著者 所属（和/英） |
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| 第29著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第30著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第32著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第33著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第34著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第35著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 所属（和/英） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2012-08-02 13:00:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2012-68, ICD2012-36 |
| 巻番号（vol） |
vol.112 |
| 号番号（no） |
no.169(SDM), no.170(ICD) |
| ページ範囲 |
pp.29-32 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2012-07-26 (SDM, ICD) |