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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-08-02 15:55 4F2のポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ ○木下勝治・笹子佳孝・峯邑浩行・安齋由美子・田井光春・藤崎芳久・草場壽一・森本忠雄・高濱 高・峰 利之・島 明生・與名本欣樹・小林 孝（日立）  SDM2012-74 ICD2012-42 |
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| 抄録 | （和） | ストレージ向け3次元縦チェインセル型相変化メモリ(Vertical Chain-Cell-Type Phase-Change Memory: VCCPCM)を作製した。開発したVCCPCMは次の3つの特徴を持つ。(1) 複数積層したゲートにメモリホールを一括で形成するプロセスの適用によりプロセス工数が削減できる。(2) 薄膜化可能な新相変化材料を用いることで、３次元フラッシュメモリの微細化限界以下のセルサイズを実現できる。(3) 選択素子にポリシリコンダイオードを用いることで、セルファクタを4F2に減少できる。これらの特徴により、VCCPCMの相対ビットコストは３次元フラッシュメモリと比較して0.2に低減可能である。 |
| （英） | A three-dimensional (3-D) vertical chain-cell-type phase-change memory (VCCPCM) for next-generation large-capacity storage was developed. The VCCPCM features formation of memory holes in multi-layered stacked gates by using a single mask and a memory array without a selection transistor. As a result of this configuration, the number of process steps for fabricating the VCCPCM is reduced. The excellent scalability of the VCCPCM’s new phase-change material makes it possible to reduce the cell size beyond the scaling limit of flash memory. In addition, a poly-silicon selection diode makes it possible to reduce the cell factor to 4F2. Consequently, relative cost of the VCCPCM compared to 3-D flash memory is reduced to 0.2. | |
| キーワード | （和） | 相変化メモリ / チェインセル / 3次元 / 縦型 / / / / |
| （英） | phase-change memory / chain-cell-type / 3-D / vertical / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 169, SDM2012-74, pp. 59-63, 2012年8月. | |
| 資料番号 | SDM2012-74 | |
| 発行日 | 2012-07-26 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-74 ICD2012-42 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2012-08-02 - 2012-08-03 |
| 開催地（和） | 札幌市男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Sapporo Center for Gender Equality, Sapporo, Hokkaido |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low-power, low-voltage device and circuit technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 4F2のポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Scalable 3-D vertical chain-cell-type phase-change memory with 4F2 poly-Si diodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 相変化メモリ / phase-change memory |
| キーワード(2)（和/英） | チェインセル / chain-cell-type |
| キーワード(3)（和/英） | 3次元 / 3-D |
| キーワード(4)（和/英） | 縦型 / vertical |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 勝治 / Masaharu Kinoshita / キノシタ マサハル |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笹子 佳孝 / Yoshitaka Sasago / ササゴ ヨシタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 峯邑 浩行 / Hiroyuki Minemura / ミネムラ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安齋 由美子 / Yumiko Anzai / アンザイ ユミコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田井 光春 / Mitsuharu Tai / タイ ミツハル |
| 第5著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤崎 芳久 / Yoshihisa Fujisaki / フジサキ ヨシヒサ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 草場 壽一 / Shuichi Kusaba / クサバ シュウイチ |
| 第7著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森本 忠雄 / Tadao Morimoto / モリモト タダオ |
| 第8著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高濱 高 / Takashi Takahama / タカハマ タカシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 峰 利之 / Toshiyuki Mine / ミネ トシユキ |
| 第10著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島 明生 / Akio Shima / シマ アキオ |
| 第11著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 與名本 欣樹 / Yoshiki Yonamoto / ヨナモト ヨシキ |
| 第12著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 孝 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ |
| 第13著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-08-02 15:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-74, ICD2012-42 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.169(SDM), no.170(ICD) |
| ページ範囲 | pp.59-63 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-07-26 (SDM, ICD) |
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