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| 講演名 | 2012-08-02 13:25 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき ○水谷朋子（東大）・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・平本俊郎（東大）  SDM2012-69 ICD2012-37 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-69 ICD2012-37 |
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| 抄録 | （和） | 65nm技術で作製した薄膜BOX-SOI(SOTB)トランジスタのドレイン電流ばらつきを評価し，バルクMOSトランジスタと比較した．SOTBトランジスタではバルクトランジスタと比較してドレイン電流ばらつき大幅に抑制できることを実測で示し，その原因がVTHばらつきの低減および電流立ち上がり電圧(COV)の低減であることを明らかにした． |
| （英） | Drain current variability in silicon-on-thin-BOX (SOTB) MOSFETs by 65nm technology is analyzed and compared with conventional bulk MOSFETs. It is found that drain current variability in SOTB MOSFETs is largely suppressed thanks to not only reduced VTH variability but also reduced current-onset voltage (COV) variability due to intrinsic channel. | |
| キーワード | （和） | ばらつき / ドレイン電流 / FD SOI / / / / / |
| （英） | Variability / Drain Current / FD SOI / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 169, SDM2012-69, pp. 33-36, 2012年8月. | |
| 資料番号 | SDM2012-69 | |
| 発行日 | 2012-07-26 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-69 ICD2012-37 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-69 ICD2012-37 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2012-08-02 - 2012-08-03 |
| 開催地（和） | 札幌市男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Sapporo Center for Gender Equality, Sapporo, Hokkaido |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low-power, low-voltage device and circuit technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduced Drain Current Variability in Fully Depleted Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ばらつき / Variability |
| キーワード(2)（和/英） | ドレイン電流 / Drain Current |
| キーワード(3)（和/英） | FD SOI / FD SOI |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto / ヤマモト ヨシキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 槇山 秀樹 / Hideki Makiyama / マキヤマ ヒデキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角村 貴昭 / Takaaki Tsunomura / ツノムラ タカアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩松 俊明 / Toshiaki Iwamatsu / イワマツ トシアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾田 秀一 / Hidekazu Oda / オダ ヒデカズ |
| 第6著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LEAP) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-08-02 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-69, ICD2012-37 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.169(SDM), no.170(ICD) |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-07-26 (SDM, ICD) |
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