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講演抄録/キーワード
講演名 2012-08-03 13:10
薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータ
小野内雅文大津賀一雄五十嵐康人池谷豊人森田貞幸ルネサス エレクトロニクス)・石橋孝一郎電通大)・柳沢一正ルネサス エレクトロニクスSDM2012-82 ICD2012-50 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-82 ICD2012-50
抄録 (和) 薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータを試作した。試作LDOでは印加電圧緩和技術を適用することで,薄膜MOSの通常印加電圧以上の電圧入力を実現している。このことにより,試作LDOの最大出力電圧を薄膜MOSの通常印加電圧としている。さらに, (1)薄膜MOS採用による出力MOSの1 GHz高速切り替え,(2)出力MOS段数の削減により,負荷変動への高速応答を実現し,出力キャパシタを不要としている。特に,(2)では新規ゲート幅設定技術を適用することで幅広い負荷電流範囲(400 $\mu$A - 250 mA)をわずか56段の出力MOSで対応している(従来比78\%減)。
試作LDOを40nm CMOSプロセスで試作・評価した結果,面積は0.057 mm$^2$,負荷応答時間は 0.07 $\mu$sであった。 
(英) A digital low-dropout (LDO) regulator comprising only thin-oxide MOS transistors was developed. The input voltage to the LDO is set to be higher than the nominal overdrive voltage of thin-oxide MOS transistors by applying the proposed overdrive-voltage relaxation scheme. In the LDO, fast transient response can be achieved by applying an output capacitor-less design, which is based on power-MOS features as follows: 1-GHz switching and the small number of levels whereas a wide range of load current (400 $\mu$A - 250 mA) can be covered by applying the proposed power-MOS configuration. The LDO occupies only 0.057 mm$^2$ area using 40-nm CMOS technology, and the measured the transient response time is only 0.07 $\mu$s.
キーワード (和) LDOレギュレータ / デジタル制御 / 高速応答 / DVFS / / / /  
(英) Low-dropout regulator / digital control / fast-transient response / DVFS / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 170, ICD2012-50, pp. 105-110, 2012年8月.
資料番号 ICD2012-50 
発行日 2012-07-26 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2012-82 ICD2012-50 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-82 ICD2012-50

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2012-08-02 - 2012-08-03 
開催地(和) 札幌市男女共同参画センター 
開催地(英) Sapporo Center for Gender Equality, Sapporo, Hokkaido 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low-power, low-voltage device and circuit technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2012-08-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Fast-Transient-Response Digital Low-Dropout Regulator Comprising Thin-Oxide MOS Transistors in 40-nm CMOS process 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) LDOレギュレータ / Low-dropout regulator  
キーワード(2)(和/英) デジタル制御 / digital control  
キーワード(3)(和/英) 高速応答 / fast-transient response  
キーワード(4)(和/英) DVFS / DVFS  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野内 雅文 / Masafumi Onouchi / オノウチ マサフミ
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大津賀 一雄 / Kazuo Otsuga / オオツガ カズオ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 五十嵐 康人 / Yasuto Igarashi / イガラシ ヤスト
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 池谷 豊人 / Toyohito Ikeya / イケヤ トヨヒト
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 森田 貞幸 / Sadayuki Morita / モリタ サダユキ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi / イシバシ コウイチロウ
第6著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: Univ. of Electro-Comm.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳沢 一正 / Kazumasa Yanagisawa / ヤナギサワ カズマサ
第7著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-08-03 13:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 SDM2012-82, ICD2012-50 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.169(SDM), no.170(ICD) 
ページ範囲 pp.105-110 
ページ数
発行日 2012-07-26 (SDM, ICD) 


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