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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-08-08 14:15 MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係 高木達也・宮原 亮・堀江陽介・○高野 泰（静岡大）  CPM2012-36 |
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| 抄録 | （和） | 有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板上に作製したGaPにはアンチフェーズドメイン(APD)とよばれる欠陥が発生しやすい。APDを抑制する目的でSi基板に2°及び4°オフ基板を使用した。成長温度を830℃とし、PH3照射下でGa原料(トリエチルガリウム)を供給することによりGaPをさせた。成長前にSi基板を熱処理した。GaP層を原子間力顕微鏡観察及び透過電子顕微鏡観察した。4°オフ基板上ではシングルドメインのGaPが得られた。しかしGaP成長初期に数のAPDが観察された。GaP成長直前のSi基板の熱処理温度及び水素圧力を変えるとAPDの発生量が変化した。 |
| （英） | GaP layers were grown on Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy. In order to suppress APD generation, Si(100) substrates 2° or 4°-misoriented toward (011) were used. The substrates were heated in a H2 flow before GaP nucleation. Growth was initiated by supplying Triethylgallium and PH3. The structures were characterized using atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM). Single domain GaP layers were readily obtained on 4°-misoriented substrates. At initial growth stage, however, many APDs appeared. The APD structure changed with heating conditions for Si substrates such as temperature and H2 pressure. | |
| キーワード | （和） | MOVPE / GaP / シリコン基板上 / アンチフェーズドメイン / 原子間力顕微鏡 / 透過電子顕微鏡 / / |
| （英） | MOVPE / GaP / Si substrate / antiphase domain / atomic force microscopy / transmission electron microscopy / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 175, CPM2012-36, pp. 17-20, 2012年8月. | |
| 資料番号 | CPM2012-36 | |
| 発行日 | 2012-08-01 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2012-36 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2012-08-08 - 2012-08-09 |
| 開催地（和） | 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2012-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of Si surface annealing on GaP on Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | GaP / GaP |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン基板上 / Si substrate |
| キーワード(4)（和/英） | アンチフェーズドメイン / antiphase domain |
| キーワード(5)（和/英） | 原子間力顕微鏡 / atomic force microscopy |
| キーワード(6)（和/英） | 透過電子顕微鏡 / transmission electron microscopy |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 達也 / Tatsuya Takagi / タカギ タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮原 亮 / Ryo Miyahara / ミヤハラ リョウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀江 陽介 / Yohsuke Horie / ホリエ ヨウスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 泰 / Yasushi Takano / タカノ ヤスシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 講演者 | 第4著者 |
| 発表日時 | 2012-08-08 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2012-36 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.175 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-08-01 (CPM) |
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