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講演抄録/キーワード
講演名 2012-08-08 14:55
塩素還元化学気相成長法を用いたSiの低温薄膜形成
柴田 明渡邉雄仁鹿又健作鈴木貴彦廣瀬文彦山形大CPM2012-37 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-37
抄録 (和) Si薄膜は、太陽電池や薄膜トランジスタの主材料であり、精製コストの低減が求められている。我々は塩化金属還元化学気相成長(Metal-Chloride-Reduction CVD:MCR-CVD)法によって、Niシリサイド、Hfシリサイド、タングステンなどの金属膜の成膜を行ってきた。今回、その技術を活用し、固体Siと塩素プラズマを用いることで、低温においてSi薄膜を形成したので報告する。 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) 真空 / プラズマ / / / / / /  
(英) CVD / Cl / Si / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 175, CPM2012-37, pp. 21-22, 2012年8月.
資料番号 CPM2012-37 
発行日 2012-08-01 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2012-37 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-37

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2012-08-08 - 2012-08-09 
開催地(和) 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2012-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 塩素還元化学気相成長法を用いたSiの低温薄膜形成 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low temperature thin film deposition of Si by using Chloride Reduction Chemical Vapor Deposition 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 真空 / CVD  
キーワード(2)(和/英) プラズマ / Cl  
キーワード(3)(和/英) / Si  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴田 明 / Akira Shibata / シバタ アキラ
第1著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邉 雄仁 / Takehito Watanabe / ワタナベ タケヒト
第2著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鹿又 健作 / Kensaku Kanomata / カノマタ ケンサク
第3著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 貴彦 / Takahiko Suzuki / スズキ タカヒコ
第4著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose / ヒロセ フミヒコ
第5著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-08-08 14:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2012-37 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.175 
ページ範囲 pp.21-22 
ページ数
発行日 2012-08-01 (CPM) 


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