| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2012-10-26 14:15
スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討 ○名越克仁・富口祐輔・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・福嶋康夫・永田向太郎・坪井 望・野本隆宏(新潟大) CPM2012-95 |
| 抄録 |
(和) |
本研究では,市販ターゲットを用い,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法による膜堆積時の基板温度変化や堆積後の熱処理によって,作製されるAZO薄膜に及ぼす影響の検討を行った。その結果,基板温度を上昇させることにより,膜の結晶性が向上するのに対し,熱処理による結晶性の大きな向上は得られなかった。また,本研究にて作製した膜は,移動度が小さいことから,約1×10-3Ω・cmとITO膜などに比べ,大きな値であった。 |
| (英) |
We examined the effects of the substrate temperature and post-annealing in vacuum less than 2.0×10-6 Torr of AZO thin films prepared by the RF-DC coupled MS method and using a commercial target. As a result, the crystallinity of the films was improved by increasing the substrate temperature, but post-annealing in vacuum of AZO thin films was not effective. AZO film of lowest resistivity in this study had about 1×10-3Ω·cm. However, resistivity of that film is a large resistivity compared with resistivity of general ITO films. This is caused by low mobility of that film. |
| キーワード |
(和) |
ZnO系透明導電膜 / RF-DC結合形スパッタ法 / AZO / 抵抗率 / / / / |
| (英) |
ZnO thin films / RF-DC coupled MS method / AZO / Resistivity / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 265, CPM2012-95, pp. 13-16, 2012年10月. |
| 資料番号 |
CPM2012-95 |
| 発行日 |
2012-10-19 (CPM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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CPM2012-95 |