講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-10-26 16:05
CZTS薄膜太陽電池における硫化条件の最適化 ○樋口健人・鷲尾 司・神保和夫・片桐裕則(長岡高専) CPM2012-99 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-99 |
抄録 |
(和) |
CZTS化合物ターゲットを用いたRFスパッタ法によりCZTSプリカーサを作製し,異なる硫化保持時間で気相硫化することにより,CZTS薄膜の硫化条件の最適化を試みた.その結果,硫化温度が520 oC,昇温速度が40 oC / minでかつ,硫化保持時間が1時間のCZTS薄膜太陽電池において,膜ムラが少なく,太陽電池特性の分布が小さくなることを確認した.また,Jsc = 15.58 mA/cm2,Voc = 635.8 mV,η = 5.72 %,F.F. = 0.58,Rs = 6.58 Ωcm2,Rsh = 466.7 Ωcm2を得た. |
(英) |
In order to optimize the sulfurization conditions, we sulfurized precursors with various holding times. The other parameters of sulfurization conditions such as a temperature, a rump up rate and a cooling rate were temporary determined with the results of preliminary experiments. Precursors were prepared by single sputtering technique using a CZTS compound target that will provide the preferable composition of Cu-poor and Zn-rich. As a result, the highest efficiency of 5.72% with FF of 0.577 was achieved in this study. |
キーワード |
(和) |
薄膜太陽電池 / Cu2ZnSnS4 / H2S / ゴールドイメージ炉 / CZTSターゲット / / / |
(英) |
Thin Film Solar Cell / Cu2ZnSnS4 / H2S / Gold Furnace / CZTS target / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 265, CPM2012-99, pp. 33-37, 2012年10月. |
資料番号 |
CPM2012-99 |
発行日 |
2012-10-19 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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