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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-10-26 09:30 Accumulation MOSFETsにおけるノイズ特性の評価 ○ゴベール フィリップ・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大）  SDM2012-92 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | Whether the use of a different material such as the germanium or the use of a new structure such as multigate device for the replacement of the actual CMOS technology, the general performances of these potential solutions are enhanced. Unfortunately, these changes are going along with a significant increase of the noise level. Among the possible replacement for the future CMOS technology, a newly developed device working in accumulation rather than in inversion seems very promising. The assessment of its low frequency noise performance has been investigated. The study revealed that, contrary to the other potential solutions, not only their drivability and other features are enhanced but their low frequency noise level is reduced when compared to the conventional inversion mode MOSFET. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | 1/f noise / accumulation mode / inversion mode / MOSFET / hooge / interface trap density / mobility / Si(100) | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 263, SDM2012-92, pp. 15-20, 2012年10月. | |
| 資料番号 | SDM2012-92 | |
| 発行日 | 2012-10-18 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-92 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-10-25 - 2012-10-26 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. (Niche) |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process science and new process technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-10-SDM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | Accumulation MOSFETsにおけるノイズ特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Noise Performance of Accumulation MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / 1/f noise |
| キーワード(2)（和/英） | / accumulation mode |
| キーワード(3)（和/英） | / inversion mode |
| キーワード(4)（和/英） | / MOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | / hooge |
| キーワード(6)（和/英） | / interface trap density |
| キーワード(7)（和/英） | / mobility |
| キーワード(8)（和/英） | / Si(100) |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | ゴベール フィリップ / Philippe Gaubert / |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-10-26 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-92 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.263 |
| ページ範囲 | pp.15-20 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-10-18 (SDM) |
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