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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-15 14:30 ［招待講演］高周波帯域雑音計測プローブによるMOSFETの時間揺らぎ特性評価 ～ 1/f（低周波）から熱雑音（100 MHz超）まで ～ ○大毛利健治（筑波大）  SDM2012-102 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-102 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 290, SDM2012-102, pp. 15-19, 2012年11月. | |
| 資料番号 | SDM2012-102 | |
| 発行日 | 2012-11-08 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-102 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-102 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-11-15 - 2012-11-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高周波帯域雑音計測プローブによるMOSFETの時間揺らぎ特性評価 |
| サブタイトル（和） | 1/f（低周波）から熱雑音（100 MHz超）まで |
| タイトル（英） | Fluctuation of MOSFETs from Low-Frequency Noise to Thermal Noise Using a Novel Measurement System beyond 100 MHz |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
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| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大毛利 健治 / Kenji Ohmori / オオモリ ケンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Uni. of Tsukuba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-15 14:30:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-102 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.290 |
| ページ範囲 | pp.15-19 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-11-08 (SDM) |
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