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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-15 15:20 ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性 ○陳 杰智・平野 泉・辰村光介・三谷祐一郎（東芝）  SDM2012-103 |
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| 抄録 | （和） | 近年，さまざまな構造のデバイスにおけるランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の報告がなされている。例えば、CMOSイメージセンサー、不揮発メモリ、三次元トランジスタなど。新しい開発した評価技術のお陰で、短時間で大量なデータを取れるようになって、異なる絶縁膜に異なるRTN欠陥分布特性を示した。ところが、いままでの研究において，欠陥分布とプロットする時に欠陥を統一に考えて、欠陥分類されていない。RTN現象の本質物理的機構について考察するために、異なる欠陥を分離しなければならない。また、三次元デバイスに対して、異なる面方位に分離できた欠陥からそれぞれデバイス信頼性に与えた影響を調べる必要がある。本論文では，まず、(100)面と(110)面のトランジスタに観測できた単一RTN欠陥を分離して、ニュートラル欠陥とアトラクティブ欠陥二種類欠陥をはっきり別れた。更に、電子/正孔ニュートラル欠陥と電子/正孔アトラクティブ欠陥それぞれのエネルギー分布と欠陥位置分布を抽出でき、差別も明瞭に観測できた。たとえば、ニュートラル欠陥とアトラクティブ欠陥から閾値電圧に与えた影響をわかった。なお、異なる面方位を持ち平面トランジスタのデータから、RTN欠陥に伴う閾値変動を抑える観点で、三次元デバイス構造上の最適化について議論した。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | ランダム・テレグラフ・ノイズ / 閾値電圧変動 / 面方位 / ニュートラル欠陥 / アトラクティブ欠陥 / / / |
| （英） | RTN / neutral traps / attractive traps / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 290, SDM2012-103, pp. 21-24, 2012年11月. | |
| 資料番号 | SDM2012-103 | |
| 発行日 | 2012-11-08 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-103 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-11-15 - 2012-11-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Neutral and Attractive Traps in Random Telegraph Signal Noise Phenomena using (100)- and (110)-Oriented CMOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ランダム・テレグラフ・ノイズ / RTN |
| キーワード(2)（和/英） | 閾値電圧変動 / neutral traps |
| キーワード(3)（和/英） | 面方位 / attractive traps |
| キーワード(4)（和/英） | ニュートラル欠陥 / |
| キーワード(5)（和/英） | アトラクティブ欠陥 / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 陳 杰智 / Jiezhi Chen / チェン ジィエジィ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba, R&D Center (略称： Toshiba Corp) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平野 泉 / Izumi Hirano / ヒラノ イズミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba, R&D Center (略称： Toshiba Corp) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辰村 光介 / Kosuke Tatsumura / タツムラ コスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba, R&D Center (略称： Toshiba Corp) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三谷 祐一郎 / Yuichiro Mitani / ミタニ ユウイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba, R&D Center (略称： Toshiba Corp) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-15 15:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-103 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.290 |
| ページ範囲 | pp.21-24 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-08 (SDM) |
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