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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-16 13:50 カーボンナノチューブやグラフェンシートの電子バンド構造に及ぼす三次元ひずみ場の影響解析 ○鈴木 研・大西正人・三浦英生（東北大）  SDM2012-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-110 |
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| 抄録 | （和） | カーボンナノチューブ（CNT）は，その発見以来，電子デバイスや各種センサへの応用が期待され様々な研究が行われている．例えば，CNTの電気伝導特性が機械的ひずみにより敏感に変化する性質を用いたセンサの作成が行われている．一方，電気伝導特性ひずみ敏感性は電子デバイス等の性能ばらつきの原因となる可能性がある．そこで本研究では，分子動力学法と密度汎関数法を用いて外力により変形したCNTの構造と電子構造変化の相関性を検討した．その結果，CNTの電子構造を変化する主なメカニズムには，結合長比の変化と曲率の増加による軌道の混成であることを明らかにした． |
| （英） | The prediction of the change in the conductivity of carbon nanotubes (CNTs) under strain is crucially important to assure the reliability of the performance of CNT-based electronic devices. In this study, the change of the electronic state of CNTs caused by deformation was investigated. We found that the change of the electronic sate of CNTs was mainly dominated by (a) a change in the bond length ratio in a six-membered ring and (b) increase in the local curvature leading to an orbital hybridization. | |
| キーワード | （和） | カーボンナノチューブ / グラフェン / ひずみ / 電気伝導度 / 密度汎関数法 / / / |
| （英） | carbon nanotube / graphene / strain / conductivity / density functional theory / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 290, SDM2012-110, pp. 59-61, 2012年11月. | |
| 資料番号 | SDM2012-110 | |
| 発行日 | 2012-11-08 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-110 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-11-15 - 2012-11-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | カーボンナノチューブやグラフェンシートの電子バンド構造に及ぼす三次元ひずみ場の影響解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of a three-dimensional strain field on the electronic band structures of carbon nanotubes and graphene sheets |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / carbon nanotube |
| キーワード(2)（和/英） | グラフェン / graphene |
| キーワード(3)（和/英） | ひずみ / strain |
| キーワード(4)（和/英） | 電気伝導度 / conductivity |
| キーワード(5)（和/英） | 密度汎関数法 / density functional theory |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 研 / Ken Suzuki / スズキ ケン |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大西 正人 / Masato Ohnishi / オオニシ マサト |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 英生 / Hideo Miura / ミウラ ヒデオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-16 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-110 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.290 |
| ページ範囲 | pp.59-61 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2012-11-08 (SDM) |
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