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講演抄録/キーワード
講演名 2012-11-16 11:15
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 ~ KMCとNEGFによる研究 ~
森 伸也阪大)・植松真司慶大)・三成英樹ミリニコフ ゲナディ阪大)・伊藤公平慶大SDM2012-107 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-107
抄録 (和) 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧に及ぼす影響について,動的モンテカルロ(KMC)法と非平衡グリーン関数(NEGF)法を用いて調べた.KMCを用いてナノワイヤトランジスタにおける不純物配置を計算し,その結果をNEGFシミュレータに導入することにより,離散不純物が電流電圧に及ぼす影響を調べた.ゲート長10nmの3nm×3シリコンナノワイヤトランジスタの場合,離散不純物デバイスの平均ドレイン電流は,一様連続ドープデバイスのドレイン電流より,20%程度減少した.また,平均電流で規格化したドレイン電流揺らぎは,20%程度となった. 
(英) Impacts of discrete dopant in source and drain extensions on characteristics of silicon nanowire transistors have been numerically studied. Kinetic Monte Carlo simulation is performed for generating distribution of active dopant atoms. Current-voltage characteristics are then calculated within a non-equilibrium Green's function method. For silicon nanowire transistors with $3\,\mathrm{nm} \times 3\,\mathrm{nm}$ cross-section and $10 \,\mathrm{nm}$ gate-length the average drain current, $\langle I_\mathrm{d}\rangle$, is found to be $\sim 20 \, \%$ reduced compared to the uniform distribution case. The standard deviation is found to be $\sigma I_\mathrm{d} \approx 0.2 \langle I_\mathrm{d}\rangle$.
キーワード (和) ナノワイヤ / 非平衡グリーン関数 / 動的モンテカルロ / / / / /  
(英) nanowire / NEGF / KMC / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 290, SDM2012-107, pp. 43-46, 2012年11月.
資料番号 SDM2012-107 
発行日 2012-11-08 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2012-107 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-107

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-11-15 - 2012-11-16 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 
サブタイトル(和) KMCとNEGFによる研究 
タイトル(英) Impact of Discrete Dopant in Characteristics of Nanowire Transistors 
サブタイトル(英) KMC and NEGF Study 
キーワード(1)(和/英) ナノワイヤ / nanowire  
キーワード(2)(和/英) 非平衡グリーン関数 / NEGF  
キーワード(3)(和/英) 動的モンテカルロ / KMC  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 植松 真司 / Masashi Uematsu / ウエマツ マサシ
第2著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 三成 英樹 / Hideki Minari / ミナリ ヒデキ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) ミリニコフ ゲナディ / Gennady Mil'nikov / ミリニコフ ゲナディ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 公平 / Kohei M. Itoh / イトウ コウヘイ
第5著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-11-16 11:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2012-107 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.290 
ページ範囲 pp.43-46 
ページ数
発行日 2012-11-08 (SDM) 


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