講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-11-16 11:15
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 ~ KMCとNEGFによる研究 ~ ○森 伸也(阪大)・植松真司(慶大)・三成英樹・ミリニコフ ゲナディ(阪大)・伊藤公平(慶大) SDM2012-107 |
抄録 |
(和) |
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧に及ぼす影響について,動的モンテカルロ(KMC)法と非平衡グリーン関数(NEGF)法を用いて調べた.KMCを用いてナノワイヤトランジスタにおける不純物配置を計算し,その結果をNEGFシミュレータに導入することにより,離散不純物が電流電圧に及ぼす影響を調べた.ゲート長10nmの3nm×3シリコンナノワイヤトランジスタの場合,離散不純物デバイスの平均ドレイン電流は,一様連続ドープデバイスのドレイン電流より,20%程度減少した.また,平均電流で規格化したドレイン電流揺らぎは,20%程度となった. |
(英) |
Impacts of discrete dopant in source and drain extensions on characteristics of silicon nanowire transistors have been numerically studied. Kinetic Monte Carlo simulation is performed for generating distribution of active dopant atoms. Current-voltage characteristics are then calculated within a non-equilibrium Green's function method. For silicon nanowire transistors with $3\,\mathrm{nm} \times 3\,\mathrm{nm}$ cross-section and $10 \,\mathrm{nm}$ gate-length the average drain current, $\langle I_\mathrm{d}\rangle$, is found to be $\sim 20 \, \%$ reduced compared to the uniform distribution case. The standard deviation is found to be $\sigma I_\mathrm{d} \approx 0.2 \langle I_\mathrm{d}\rangle$. |
キーワード |
(和) |
ナノワイヤ / 非平衡グリーン関数 / 動的モンテカルロ / / / / / |
(英) |
nanowire / NEGF / KMC / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 290, SDM2012-107, pp. 43-46, 2012年11月. |
資料番号 |
SDM2012-107 |
発行日 |
2012-11-08 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2012-107 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2012-11-15 - 2012-11-16 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
テーマ(和) |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
テーマ(英) |
|
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2012-11-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 |
サブタイトル(和) |
KMCとNEGFによる研究 |
タイトル(英) |
Impact of Discrete Dopant in Characteristics of Nanowire Transistors |
サブタイトル(英) |
KMC and NEGF Study |
キーワード(1)(和/英) |
ナノワイヤ / nanowire |
キーワード(2)(和/英) |
非平衡グリーン関数 / NEGF |
キーワード(3)(和/英) |
動的モンテカルロ / KMC |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ |
第1著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
植松 真司 / Masashi Uematsu / ウエマツ マサシ |
第2著者 所属(和/英) |
慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
三成 英樹 / Hideki Minari / ミナリ ヒデキ |
第3著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
ミリニコフ ゲナディ / Gennady Mil'nikov / ミリニコフ ゲナディ |
第4著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
伊藤 公平 / Kohei M. Itoh / イトウ コウヘイ |
第5著者 所属(和/英) |
慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2012-11-16 11:15:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2012-107 |
巻番号(vol) |
vol.112 |
号番号(no) |
no.290 |
ページ範囲 |
pp.43-46 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2012-11-08 (SDM) |