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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-16 10:00 20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価 ○山本真大・廣木 彰・尹 鍾鐵（京都工繊大）  SDM2012-104 |
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| 抄録 | （和） | ITRSでMOSデバイスの電気特性の計算に用いられるプログラムMASTARの電子実効移動度モデルの精度を評価した。評価方法として、シュレディンガー方程式とポアソン方程式を自己無撞着に解き、反転層電荷閉じ込めを考慮した正確な電荷分布を求め、実効移動度を比較した。その結果、ゲート長18～28 nmの低動作電力バルクnMOSFETにおいて、MASTARは電子実効移動度を過小評価していることがわかった。その原因が、基板内総電荷量の計算に使用される表面電位の近似式と、反転層電荷閉じ込めの影響を考慮した酸化膜印加電圧の近似式の精度不足であることを示した。 |
| （英） | An effective mobility model used in the MASTAR program, which has been used to predict the device characteristics in the ITRS, is investigated. The model has been estimated by using a Poisson / Schrödinger model. For low standby power nMOSFETs with 18 - 28 nm gate lengths, MASTAR underestimates the effective mobility. It is found that the approximation of the surface potential and the applied voltage to the effective oxide leads to the disagreement. | |
| キーワード | （和） | MOSFET / 実効移動度モデル / 反転層電荷閉じ込め / シュレディンガー方程式 / ポアソン方程式 / / / |
| （英） | MOSFET / carrier mobility model / inversion charge confinement / Poisson equation / Schrödinger equation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 290, SDM2012-104, pp. 25-30, 2012年11月. | |
| 資料番号 | SDM2012-104 | |
| 発行日 | 2012-11-08 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-104 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-11-15 - 2012-11-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An Estimation of the Carrier Mobility Model Influenced by Inversion Charge Confinement for Sub-20nm MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 実効移動度モデル / carrier mobility model |
| キーワード(3)（和/英） | 反転層電荷閉じ込め / inversion charge confinement |
| キーワード(4)（和/英） | シュレディンガー方程式 / Poisson equation |
| キーワード(5)（和/英） | ポアソン方程式 / Schrödinger equation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 真大 / Masahiro Yamamoto / ヤマモト マサヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣木 彰 / Akira Hiroki / ヒロキ アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尹 鍾鐵 / Jong Chul Yoon / ユン チョンチョル |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-16 10:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-104 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.290 |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-11-08 (SDM) |
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