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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-16 13:00 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション ○図師知文（早大/JST）・大毛利健治・山田啓作（筑波大/JST）・渡邉孝信（早大/JST）  SDM2012-108 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-108 |
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| 抄録 | （和） | ナノMOSFETにおいて形成されるとされる縦波光学(LO)フォノンが滞留した非平衡熱分布，いわゆるホットスポットの熱散逸過程を分子動力学(MD)シミュレーションにより調査した．Bulk-FinとSOI-Fin構造における熱拡散過程を比較し，埋め込み酸化膜(BOX)層がその拡散速度に与える影響を調査した．BOX膜厚を原子層レベルで変化させFin部からSi基板への熱拡散過程を解析したところ，Fin構造ではBOX層の厚さが1原子層であっても大きな熱の拡散バリアになることが分かった．これは，音響フォノンのSi基板への拡散がBOX層の存在により阻害され，その熱がFin中に滞留してしまうことが原因であることが判明した．本結果は，デバイスの自己発熱効果の対策として，ナノ構造中にSi領域でできた熱の通り道を確保する必要があることを示している． |
| （英） | We perform a series of molecular dynamics (MD) simulations to investigate the transport process of heat in a hotspot region in Bulk and SOI Fin structures, and we analyze how the heat transport process depends on the thickness of buried oxide (BOX). The result shows that the heat flow from the hotspot to Si substrate is impeded when the BOX layer exists even if the thickness is only one atomic layer. Our phonon distribution analysis suggests that the heat transport in the SOI Fin structure is impeded since acoustic phonons stay in the Fin region. This study indicates that having a heat duct in a device can be effective to avoid the self-heating problem. | |
| キーワード | （和） | フォノン / 自己発熱効果 / 立体構造シリコン / ナノワイヤ / SOI / 分子動力学シミュレーション / / |
| （英） | phonons / self-heating effect / Fin structures / nanowire / SOI / molecular dynamics simulations / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 290, SDM2012-108, pp. 47-52, 2012年11月. | |
| 資料番号 | SDM2012-108 | |
| 発行日 | 2012-11-08 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-108 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-108 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-11-15 - 2012-11-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Molecular Dynamics Simulation of Heat Transport in Silicon Fin Structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォノン / phonons |
| キーワード(2)（和/英） | 自己発熱効果 / self-heating effect |
| キーワード(3)（和/英） | 立体構造シリコン / Fin structures |
| キーワード(4)（和/英） | ナノワイヤ / nanowire |
| キーワード(5)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(6)（和/英） | 分子動力学シミュレーション / molecular dynamics simulations |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 図師 知文 / Tomofumi Zushi / ズシ トモフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 早稲田大学/JST (略称： 早大/JST) Waseda University/JST (略称： Waseda Univ./JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大毛利 健治 / Kenji Ohmori / オオモリ ケンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 筑波大学/JST (略称： 筑波大/JST) University of Tsukuba/JST (略称： Univ. of Tsukuba/JST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 啓作 / Keisaku Yamada / ヤマダ ケイサク |
| 第3著者 所属（和/英） | 筑波大学/JST (略称： 筑波大/JST) University of Tsukuba/JST (略称： Univ. of Tsukuba/JST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 孝信 / Takanobu Watanabe / ワタナベ タカノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 早稲田大学/JST (略称： 早大/JST) Waseda University/JST (略称： Waseda Univ./JST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-16 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-108 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.290 |
| ページ範囲 | pp.47-52 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-11-08 (SDM) |
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