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講演抄録/キーワード
講演名 2012-11-19 15:00
グラフォエピタキシーにより面内配向制御されたペンタセンFETを利用したTHz波センサの検討
吉岡勇多奈良先端大)・李 世光千葉大/奈良先端大)・上田智也松原亮介中村雅一奈良先端大OME2012-70
抄録 (和) 有機電界効果トランジスタ(OFET)の代表格であるペンタセンOFETのキャリア輸送バンドには、素子がオン状態において障壁高さとして0.5-10meV程度のランダムなバンド端ゆらぎが存在していることが確認されている。この値は、ちょうどTHzフォトンエネルギーに相当することから、OFETにおける蓄積キャリアがTHzフォトンからエネルギーを受けることができれば、OFETの出力電流がTHz波に応答して変化する新型のTHzセンサが得られる。 本研究では、グラフォエピタキシーによって面内配向成長させたペンタセンを活性層とするOFETを作製し、粒界部キャリア輸送障壁の平均高さが面内配向成長によって低下することを確認した。さらに、THz波時間領域分光法(THz-TDS)により、OFET中の蓄積キャリアによるTHz変調吸収スペクトルの形状が配向制御の有無によって異なっていることを確認した。 
(英) We found, in our previous work, that the HOMO-band edge of a pentacene thin film is randomly fluctuated due to the existence of crystallite boundaries. The local barrier height against carrier transportation is within the range 0.5–10 meV, which corresponds well with the photon energy of THz wave. It is therefore highly probable that the irradiation of THz wave enhances the carrier transport in OFETs with pentacene thin film. In this work, we fabricated in- plane-orientation-controlled pentacene OFETs by graphoepitaxy and confirmed the reduction of average barrier height at grain boundaries. THz time-domain-spectroscopy revealed that the shape of THz absorption spectrum by accumulated careers in the orientation-controlled OFET differed from that of conventional one.
キーワード (和) テラヘルツ波 / 有機薄膜トランジスタ / ペンタセン / グラフォエピタキシー / テラヘルツ時間領域分光法 / / /  
(英) THz-wave / Organic Thin-Film Transistor / Pentacene / Graphoepitaxy / THz Time-Domain-Spectroscopy / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 304, OME2012-70, pp. 43-47, 2012年11月.
資料番号 OME2012-70 
発行日 2012-11-12 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2012-70

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2012-11-19 - 2012-11-19 
開催地(和) 大阪大学中之島センター 講義室302 
開催地(英) Room 302, Nakanoshima Ctr., Osaka Univ. 
テーマ(和) 有機材料・一般 
テーマ(英) Organic Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2012-11-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) グラフォエピタキシーにより面内配向制御されたペンタセンFETを利用したTHz波センサの検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study on the THz-wave Sensors Using In-plane-orientation-controlled Pentacene OFET by Graphoepitaxy 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) テラヘルツ波 / THz-wave  
キーワード(2)(和/英) 有機薄膜トランジスタ / Organic Thin-Film Transistor  
キーワード(3)(和/英) ペンタセン / Pentacene  
キーワード(4)(和/英) グラフォエピタキシー / Graphoepitaxy  
キーワード(5)(和/英) テラヘルツ時間領域分光法 / THz Time-Domain-Spectroscopy  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉岡 勇多 / Yuta Yoshioka / ヨシオカ ユウタ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 世光 / Shi-Guang Li /
第2著者 所属(和/英) 千葉大学/奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 千葉大/奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology/Chiba University (略称: NAIST/Chiba Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 上田 智也 / Tomoya Ueda / ウエダ トモヤ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松原 亮介 / Ryosuke Matsubara / マツバラ リョウスケ
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 雅一 / Masakazu Nakamura / ナカムラ マサカズ
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-11-19 15:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2012-70 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.304 
ページ範囲 pp.43-47 
ページ数
発行日 2012-11-12 (OME) 


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