| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2012-11-19 15:00
グラフォエピタキシーにより面内配向制御されたペンタセンFETを利用したTHz波センサの検討 ○吉岡勇多(奈良先端大)・李 世光(千葉大/奈良先端大)・上田智也・松原亮介・中村雅一(奈良先端大) OME2012-70 |
| 抄録 |
(和) |
有機電界効果トランジスタ(OFET)の代表格であるペンタセンOFETのキャリア輸送バンドには、素子がオン状態において障壁高さとして0.5-10meV程度のランダムなバンド端ゆらぎが存在していることが確認されている。この値は、ちょうどTHzフォトンエネルギーに相当することから、OFETにおける蓄積キャリアがTHzフォトンからエネルギーを受けることができれば、OFETの出力電流がTHz波に応答して変化する新型のTHzセンサが得られる。 本研究では、グラフォエピタキシーによって面内配向成長させたペンタセンを活性層とするOFETを作製し、粒界部キャリア輸送障壁の平均高さが面内配向成長によって低下することを確認した。さらに、THz波時間領域分光法(THz-TDS)により、OFET中の蓄積キャリアによるTHz変調吸収スペクトルの形状が配向制御の有無によって異なっていることを確認した。 |
| (英) |
We found, in our previous work, that the HOMO-band edge of a pentacene thin film is randomly fluctuated due to the existence of crystallite boundaries. The local barrier height against carrier transportation is within the range 0.5–10 meV, which corresponds well with the photon energy of THz wave. It is therefore highly probable that the irradiation of THz wave enhances the carrier transport in OFETs with pentacene thin film. In this work, we fabricated in- plane-orientation-controlled pentacene OFETs by graphoepitaxy and confirmed the reduction of average barrier height at grain boundaries. THz time-domain-spectroscopy revealed that the shape of THz absorption spectrum by accumulated careers in the orientation-controlled OFET differed from that of conventional one. |
| キーワード |
(和) |
テラヘルツ波 / 有機薄膜トランジスタ / ペンタセン / グラフォエピタキシー / テラヘルツ時間領域分光法 / / / |
| (英) |
THz-wave / Organic Thin-Film Transistor / Pentacene / Graphoepitaxy / THz Time-Domain-Spectroscopy / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 304, OME2012-70, pp. 43-47, 2012年11月. |
| 資料番号 |
OME2012-70 |
| 発行日 |
2012-11-12 (OME) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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OME2012-70 |