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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-19 15:55 スパッタプロセスを用いたスピント型電子源の作製 ○吉田知也・長尾昌善・神田信子・西 孝（産総研）・中野武雄（成蹊大）  ED2012-58 |
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| 抄録 | （和） | 従来のスピント型電子源作製プロセスを改良した新しいFEA作製プロセスを提案する．本提案プロセスでは，従来法の電子ビーム蒸着法で形成するアルミニウム剥離層の代わりにリフトオフレジストの剥離層を用い，エミッタコーン形成を大電力パルススパッタリング法によって行う．ゲート電極の形成は，エッチバック法を用いて行うため，従来法に比べ集束電極の形成も容易になる．本提案プロセスは，従来のスピント型電子源作製プロセスの大面積化の妨げになっていた電子ビーム蒸着プロセスを用いずに，大面積化が容易なスパッタプロセスを用いるため，大型のFEA作製を実現することが期待できる． |
| （英） | A novel fabrication method of Spindt-type field emitter array will be presented. In our method, a double-layered photoresist is used as a parting layer, and high-power impulse magnetron sputtering is used instead of e-beam evaporator for emitter-cone formation. The etch-back method is adopted to form the multi-gate electrodes on each emitter cone. Using our method, the production of large-sized FEA would be realized without e-beam evaporator process. | |
| キーワード | （和） | 真空電子源 / スピント型電子源 / 大電力パルススパッタ / / / / / |
| （英） | Field emitter array / Spindt type FEA / High power impulse magnetron sputtering / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 303, ED2012-58, pp. 19-23, 2012年11月. | |
| 資料番号 | ED2012-58 | |
| 発行日 | 2012-11-12 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-58 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2012-11-19 - 2012-11-20 |
| 開催地（和） | 阪大中之島センター |
| 開催地（英） | Osaka Univ. Nakanoshima Center |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | Electron tubes, vacuum nanoelectronics, and their related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-11-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | スパッタプロセスを用いたスピント型電子源の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Spindt-emitter fabrication using sputtering deposition |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 真空電子源 / Field emitter array |
| キーワード(2)（和/英） | スピント型電子源 / Spindt type FEA |
| キーワード(3)（和/英） | 大電力パルススパッタ / High power impulse magnetron sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 知也 / Tomoya Yoshida / ヨシダ トモヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神田 信子 / Nobuko Koda / コウダ ノブコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西 孝 / Takashi Nishi / ニシ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中野 武雄 / Takeo Nakano / ナカノ タケオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 成蹊大学 (略称： 成蹊大) Seikei University (略称： Seikei Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-19 15:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-58 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.303 |
| ページ範囲 | pp.19-23 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-11-12 (ED) |
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