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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-20 09:55 nc-Si MOS冷陰極からの電子放射における光照射効果 ○嶋脇秀隆（八戸工大）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大）  ED2012-61 |
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| 抄録 | （和） | 微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたnc-Si MOS冷陰極に光パルス（波長405nm）を照射し、放射電流特性、光応答性等、電子放射への効果を調べた。レーザ照射により、しきい値電圧が低下すると共に、放射電流が約2桁増大した。放射電流の増加量は、入射光強度に対して線形を示した。パルス光の照射により、パルス周期・形状に応じたパルス状の放射電子ビームが得られた。 |
| （英） | We investigate the effect of laser illumination on electron emission from nc-Si based Metal-oxide-semiconductor (MOS) cathodes. The emission current was enhanced about two orders of magnitude by irradiation. An increase of the emission current under the irradiation of laser light was proportional to the incident laser power. We have demonstrated a pulsed electron beam generation from the cathode device by the illumination of laser pulses. The optical properties of electron emission from the cathode are reported in detail. | |
| キーワード | （和） | 光支援電子放射 / MOS型冷陰極 / ナノ結晶シリコン / 変調電子ビーム / / / / |
| （英） | photoassisted electron emission / MOS cathode / nanocrystalline silicon / modulated electron beam / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 303, ED2012-61, pp. 37-40, 2012年11月. | |
| 資料番号 | ED2012-61 | |
| 発行日 | 2012-11-12 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-61 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2012-11-19 - 2012-11-20 |
| 開催地（和） | 阪大中之島センター |
| 開催地（英） | Osaka Univ. Nakanoshima Center |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | Electron tubes, vacuum nanoelectronics, and their related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-11-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | nc-Si MOS冷陰極からの電子放射における光照射効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of light illumination on electron emission from nanocrystalline silicon based MOS cathodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光支援電子放射 / photoassisted electron emission |
| キーワード(2)（和/英） | MOS型冷陰極 / MOS cathode |
| キーワード(3)（和/英） | ナノ結晶シリコン / nanocrystalline silicon |
| キーワード(4)（和/英） | 変調電子ビーム / modulated electron beam |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嶋脇 秀隆 / Hidetaka Shimawaki / シマワキ ヒデタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 八戸工業大学 (略称： 八戸工大) Hachinohe Institute of Technology (略称： HIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo / ネオ ヨウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 秀典 / Hidenori Mimura / ミムラ ヒデノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若家 冨士男 / Fujio Wakaya / ワカヤ フジオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学極限量子科学研究センター (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高井 幹夫 / Mikio Takai / タカイ ミキオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学極限量子科学研究センター (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-20 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-61 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.303 |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-12 (ED) |
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