| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-29 14:45 GaN上にALD成膜したAl2O3を用いたMISダイオードの電気的特性 ○岩田康宏・久保俊晴・江川孝志（名工大）  ED2012-73 CPM2012-130 LQE2012-101 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-73 CPM2012-130 LQE2012-101 |
|
| 抄録 | （和） | MIS構造に用いる絶縁体としてAl2O3に着目し、GaN上にALDで成膜したAl2O3を用いたMISダイオードを作製して特性評価を行った。成膜温度は200 ℃、250 ℃、300 ℃とし、酸素プリカーサーとして水またはオゾン、あるいは両方を用いた。水よりもオゾンを用いて300 ℃で成膜した場合にリーク電流および閾値電圧シフトが低減された。さらに、水やオゾンのみを用いた場合よりも、両方を交互に用いて成膜した場合の方が、Al2O3中の固定電荷の低減が見られた。 |
| （英） | We focused Al2O3 as an insulator in MIS structures. MIS-diodes were fabricated with Al2O3 deposited by ALD on GaN at 200 ℃,250 ℃ and 300 ℃, and their electrical characteristics were evaluated. H2O or O3 or both of them were used as an oxygen precursor. The leakage current was suppressed by Al2O3 deposition, and the smallest threshold voltage shift was observed with the Al2O3 deposited by O3 at 300 ℃ when using H2O or O3. Further the oxide charge in Al2O3 deposited by both H2O and O3 alternately was smaller than that in Al2O3 deposited by H2O or O3. | |
| キーワード | （和） | GaN / MIS-diodes / ALD / insulator / interface / / / |
| （英） | GaN / MIS-diodes / ALD / insulator / interface / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 327, ED2012-73, pp. 33-36, 2012年11月. | |
| 資料番号 | ED2012-73 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-73 CPM2012-130 LQE2012-101 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-73 CPM2012-130 LQE2012-101 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN上にALD成膜したAl2O3を用いたMISダイオードの電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical characteristics of MIS-diodes with Al2O3 deposited by ALD on GaN |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MIS-diodes / MIS-diodes |
| キーワード(3)（和/英） | ALD / ALD |
| キーワード(4)（和/英） | insulator / insulator |
| キーワード(5)（和/英） | interface / interface |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 康宏 / Yasuhiro Iwata / イワタ ヤスヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保 俊晴 / Toshiharu Kubo / クボ トシハル |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第4著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-29 14:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-73, CPM2012-130, LQE2012-101 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]