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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 加地 徹 (豊田中研)
副委員長 原 直紀 (富士通研)
幹事 須原 理彦 (首都大東京), 上田 哲三 (パナソニック)
幹事補佐 葛西 誠也 (北大), 松永 高治 (NEC)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 竹村 泰司 (横浜国大)
副委員長 高野 泰 (静岡大)
幹事 圓佛 晃次 (NTT), 阿部 克也 (信州大)
幹事補佐 小舘 淳一 (NTT), 佐藤 知正 (神奈川大)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 津田 裕之 (慶大)
副委員長 松尾 慎治 (NTT)
幹事 篠田 和典 (日立), 田中 有 (富士通研)

日時 2012年11月29日(木) 10:00 - 16:40
2012年11月30日(金) 09:30 - 17:40
議題 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 
会場名 大阪市立大学 学術情報総合センター1階文化交流室 
住所 〒558-8585 大阪市住吉区杉本3-3-138
交通案内 JR阪和線「杉本町(大阪市立大学前)駅」下車、東口より徒歩約5分
http://www.osaka-cu.ac.jp/ja/about/university/access
会場世話人
連絡先
大阪市立大学大学院 工学研究科 電子情報系専攻 重川直輝
06-6605-2676
他の共催 ◆JST/CREST「太陽光を利用した独創的クリーンエネルギー生成技術の創出」共催
お知らせ ◎29日研究会終了後、懇親会を予定しておりますので御参加下さい。
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月29日(木) 午前 
10:00 - 16:40
(1) 10:00-10:25 表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価 ED2012-65 CPM2012-122 LQE2012-93 梁 剣波重川直輝阪市大)・日暮栄治東大
(2) 10:25-10:50 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発 ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94 小林康之熊倉一英赤坂哲也山本秀樹牧本俊樹NTT
  10:50-11:05 休憩 ( 15分 )
(3) 11:05-11:30 III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用 ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95 角谷正友Liwen SangMickael Lozac'h物質・材料研究機構
(4) 11:30-11:55 GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定 ED2012-68 CPM2012-125 LQE2012-96 杉浦洋平網谷良介多次見大樹工学院大)・尾沼猛儀東京高専)・山口智広本田 徹工学院大
(5) 11:55-12:20 大口径Si基板(6インチ&8インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長 ED2012-69 CPM2012-126 LQE2012-97 徳永裕樹生方映徳矢野良樹山岡優哉山口 晃田渕俊也大陽日酸)・松本 功大陽日酸EMC
  12:20-13:30 昼食 ( 70分 )
(6) 13:30-13:55 GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 ED2012-70 CPM2012-127 LQE2012-98 渡邉則之横山春喜NTT)・重川直輝阪市大
(7) 13:55-14:20 単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 佐々木公平タムラ製作所/NICT)・東脇正高NICT/JST)・倉又朗人タムラ製作所)・増井建和光波)・山腰茂伸タムラ製作所
(8) 14:20-14:45 Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価 ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 常家卓也分島彰男江川孝志名工大
(9) 14:45-15:10 GaN上にALD成膜したAl2O3を用いたMISダイオードの電気的特性 ED2012-73 CPM2012-130 LQE2012-101 岩田康宏久保俊晴江川孝志名工大
  15:10-15:25 休憩 ( 15分 )
(10) 15:25-15:50 プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響 ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 堀 祐臣谷田部然治馬 万程橋詰 保北大
(11) 15:50-16:15 原子層堆積Al2O3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 尾崎史朗多木俊裕金村雅仁今田忠紘中村哲一岡本直哉宮島豊生吉川俊英富士通研
(12) 16:15-16:40 Effect of Passivation on Drain Current Dispersion for AlGaN/GaN HEMTs ED2012-76 CPM2012-133 LQE2012-104 Md. Tanvir HasanHirokuni TokudaMasaaki KuzuharaUniv. of Fukui
11月30日(金) 午前 
09:30 - 17:40
(13) 09:30-09:55 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長 ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105 神野大樹岡田俊祐三宅秀人平松和政三重大)・江夏悠貴長尾 哲三菱化学
(14) 09:55-10:20 DERI法を用いたInGaN系量子ナノ構造のRF-MBE成長 ED2012-78 CPM2012-135 LQE2012-106 荒木 努上松 尚阪口順一王 科立命館大)・山口智広工学院大)・Euijoon Yoonソウル国立大)・名西やす之立命館大
(15) 10:20-10:45 ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製 ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107 森田隆敏加賀 充桑野侑香松井健城竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤サキ 勇名城大/名大
  10:45-11:00 休憩 ( 15分 )
(16) 11:00-11:25 Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製 ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 大谷龍輝関口寛人豊橋技科大)・高木康文浜松ホトニクス)・岡田 浩若原昭浩豊橋技科大
(17) 11:25-11:50 Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates ED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109 Yoon Seok KimKyout Univ.)・Akio KanetaMitsuru FunatoYoichi KawakamiKyoto Univ.)・Takashi MiyoshiShin-ichi NagahamaNichia
(18) 11:50-12:15 サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用 ED2012-82 CPM2012-139 LQE2012-110 土屋貴義梅田慎也曽和美保子名城大)・近藤俊行北野 司森 みどり鈴木敦志難波江宏一関根 均エルシード)・岩谷素顕竹内哲也上山 智赤サキ 勇名城大
  12:15-13:15 昼食 ( 60分 )
(19) 13:15-13:40 n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化 ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111 桑野侑香加賀 充森田隆敏山下浩司南川大智竹内哲也岩谷素顕上山 智名城大)・赤サキ 勇名城大/名大
(20) 13:40-14:05 AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み ED2012-84 CPM2012-141 LQE2012-112 富田優志埼玉大)・平山秀樹藤川紗千恵理研)・水澤克哉豊田史朗鎌田憲彦埼玉大
(21) 14:05-14:30 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用 ED2012-85 CPM2012-142 LQE2012-113 落合俊介高木麻有奈三重大)・福世文嗣三重大/浜松ホトニクス)・三宅秀人平松和政三重大)・小林祐二吉田治正浜松ホトニクス
(22) 14:30-14:55 ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析 ED2012-86 CPM2012-143 LQE2012-114 波多腰玄一布上真也東芝
(23) 14:55-15:20 InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響 ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115 今井大地石谷善博千葉大)・王 新強北京大物理学院)・草部一秀吉川明彦千葉大
  15:20-15:35 休憩 ( 15分 )
(24) 15:35-16:00 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成 ED2012-88 CPM2012-145 LQE2012-116 河口研一中田義昭江川 満山本剛之富士通研)・荒川泰彦東大
(25) 16:00-16:25 Inフラッシュ法を用いた1ミクロン帯広帯域発光InAs量子ドットの作製と医療イメージングへの応用検討 ED2012-89 CPM2012-146 LQE2012-117 日野雄司尾崎信彦和歌山大)・大河内俊介NEC)・池田直樹杉本喜正物質・材料研究機構
(26) 16:25-16:50 AlGaAs系フォトニック結晶構造作製に向けたICPドライエッチングマスクに関する研究 ED2012-90 CPM2012-147 LQE2012-118 栂野裕二北林佑太石川史太郎近藤正彦阪大
(27) 16:50-17:15 モノリシック光源に向けたゲルマニウム発光素子の研究 ED2012-91 CPM2012-148 LQE2012-119 谷 和樹斎藤慎一小田克矢光電子融合基盤技研)・奥村忠嗣峰 利之日立)・井戸立身光電子融合基盤技研
(28) 17:15-17:40 光スペクトル制御回路の設計と位相誤差補償による波長特性平坦化 ED2012-92 CPM2012-149 LQE2012-120 池田達彦慶大)・水野隆之高橋 浩NTT)・浅倉秀明津田裕之慶大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E- : t
上田 哲三(パナソニック)
TEL:075-956-8273、FAX:075-956-9110
E-zopac 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 宮本 智之(東京工業大学)
TEL 045-924-5059, FAX 045-924-5977
E-: ttpi

篠田 和典 (日立製作所)
TEL 042-323-1111,FAX 042-327-7786
E-: nv 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2012-09-21 17:28:44


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